Компьютерные технологии
<<  Комплект электронных образовательных ресурсов по физике Использование электронных образовательных ресурсов в деятельности преподавателя физики  >>
Электроны прошедшие через образец: *электроны не претерпевших
Электроны прошедшие через образец: *электроны не претерпевших
Для получения светлого поля апертура вводится таким образом чтобы
Для получения светлого поля апертура вводится таким образом чтобы
Для получения светлого поля апертура вводится таким образом чтобы
Для получения светлого поля апертура вводится таким образом чтобы
В плоскость предмета промежуточной линзы можно ввести селекторную
В плоскость предмета промежуточной линзы можно ввести селекторную
При облучении пучком рентгеновских лучей, электронов и нейтронов
При облучении пучком рентгеновских лучей, электронов и нейтронов
Светлопольное, темнопольное изображения и микродифракционная картина
Светлопольное, темнопольное изображения и микродифракционная картина
Светлопольное, темнопольное изображения и микродифракционная картина
Светлопольное, темнопольное изображения и микродифракционная картина
Светлопольное, темнопольное изображения и микродифракционная картина
Светлопольное, темнопольное изображения и микродифракционная картина
Постоянная прибора получается путем калибровки, используя образец с
Постоянная прибора получается путем калибровки, используя образец с
Микроструктура поверхностных слоев Ni,
Микроструктура поверхностных слоев Ni,
Микроструктура поверхностных слоев Ni
Микроструктура поверхностных слоев Ni
Микроструктура поверхностных слоев Ni
Микроструктура поверхностных слоев Ni
Картинки из презентации «Микроскопические методы изучения морфологии и структуры нанокомпозитных систем. Просвечивающая электронная микроскопия» к уроку физики на тему «Компьютерные технологии»

Автор: Laborotory. Чтобы познакомиться с картинкой полного размера, нажмите на её эскиз. Чтобы можно было использовать все картинки для урока физики, скачайте бесплатно презентацию «Микроскопические методы изучения морфологии и структуры нанокомпозитных систем. Просвечивающая электронная микроскопия.ppt» со всеми картинками в zip-архиве размером 2057 КБ.

Микроскопические методы изучения морфологии и структуры нанокомпозитных систем. Просвечивающая электронная микроскопия

содержание презентации «Микроскопические методы изучения морфологии и структуры нанокомпозитных систем. Просвечивающая электронная микроскопия.ppt»
Сл Текст Сл Текст
1Микроскопические методы изучения 8h+k+l=n, четное число. Для ГЦК решетки
морфологии и структуры нанокомпозитных только от плоскостей, у которых все
систем Просвечивающая электронная индексы четные, либо все нечетные. 8.
микроскопия. Курзина Ирина Александровна. 9D-диаметр кольца D/2-расстояние от
2Содержание. 1 Метод ПЭМ и объекты какого-либо рефлекса до центра
исследования 2 Поликристаллические электронограммы L-эффективная длина камеры
материалы (от нано до монокристаллов) Полагаем что угол Q мал и используя
*Типы материалов *Пробоподготовка *Анализ брегговское соотношение получаем значение
ПЭМ изображений и кольцевых постоянной прибора. 9.
микродифракционных картин (электронограмм) 10Электронограмма Микродифракционная
*Анализ микродифракционных картин с картина. Светлопольное изображение.
одиночными рефлексами Кристаллическое Темнопольное изображение. Размер
строение вещества. Элементы кристаллитов Области локализации Границы
пространственной симметрии кристаллов 3 зерен Дефекты Дислокации. Микрофазовый
Композиционные материалы с включениями состав Изменение параметра решетки Степень
металлических частиц *Типы материалов дисперсности материала. Локализация
*Пробоподготовка *Анализ ПЭМ изображений и отдельных кристаллитов. 10.
микродифракционных картин 4 Поверхностные 11Светлопольное, темнопольное
пленки и слои *Типы материалов изображения и микродифракционная картина
*Пробоподготовка Анализ ПЭМ изображений и субмикрокристаллического титана после
микродифракционных картин. 2. отжига 300? С . 500 нм. 500 нм. 11.
3Платон «Если знаешь куда идти, любая 12Постоянная прибора получается путем
дорога приведет тебя туда» Карл Линней калибровки, используя образец с известными
«Предметы располагаются и познаются при параметрами. 12.
помощи их методического деления и 13Микроструктура поверхностных слоев Ni,
подобающего наименования. А поэтому 13.
классификация и наименование составляет 14Фазовый анализ поверхностных слоев Ni.
основу наших знаний». 3. 14. №. №. D,см. D,см. D, нм. D, нм. Ni.
4Электроны прошедшие через образец: Ni. Ni. Ni3Al. Ni3Al. Ni3Al. NiAl. NiAl.
*электроны не претерпевших рассеяния, NiAl. D hkl, нм. Int. hkl. D hkl, нм. Int.
*неупруго рассеянные без изменения hkl. D hkl, нм. Int. hkl. 1. 1,18. 0,3610.
направления, потерявшие часть энергии 0,3600. 40. 1 0 0. 2. 1,50. 0,2840. . .
*электроны отраженные от . . . . 0,2870. 40. 1 0 0. 3. 1,67.
кристаллографических плоскостей. 0,2551. . . . 0,2547. 40. 1 1 0. . .
Просвечивающая электронная микроскопия . 4. 2,05. 0,2078. . . . 0,2074. 100. 1
возникла из работ М. Кнолла и Э. Руска, 1 1. . . . 5. 2,10. 0,2029. 0,2034.
создавшим в 1931 г. прообраз ПЭМ. 4. 100. 1 1 1. . . . 0,2020. 100. 1 1 0.
5Длина волны электронов, h-постоянная 6. 2,38. 0,1790. . . . 0,1799. 70. 2 0
Планка, mu-импульс. Электроны с зарядом е 0. . . . 7. 2,42. 0,1760. 0,1762. 42. 2
ускоряемые разностью потенциалов V (В) 0 0. . . . . . . 8. 2,57. 0,1658. .
имеют кинетическую энергию ? mu2. Формула . . . . . 0,1655. 20. 1 1 1. 9. 2,65.
определяет длину волны электрона с массой 0,1608. . . . 0,1603. 40. 2 1 0. . .
m (г), движущегося со скоростью u(см/сек). . 10. 2,96. 0,1439. . . . . . .
В микроскопе, работающем при 100 кВ, 0,1434. 20. 2 0 0. 11. 3,37. 0,1264.
излучаемые электроны имеют длину волны 0,1246. 21. 2 2 0. 0,1265. 60. 2 2 0.
0,037 А. 5. 0,1285. 10. 2 1 0. 12. 3,63. 0,1174. . .
6Для получения светлого поля апертура . . . . 0,1171. 70. 2 1 1. 13. 3,95.
вводится таким образом чтобы проходил 0,1078. . . . 0,1078. 60. 3 1 1. . .
только основной не отклоненный пучок. . 14. 4,00. 0,1065. 0,1062. 20. 3 1 1. .
Детали изображения в темном поле зависят . . . . . 15. 4,77. 0,0893. . . .
от конкретного луча (конкретной hkl 0,0893. 20. 4 0 0. . . . 16. 5,20.
плоскости), выбранной для получения 0,0819. . . . 0,0819. 70. 3 3 1. . .
изображения. 6. . 17. 5,35. 0,0796. . . . 0,0798. 70. 4
7В плоскость предмета промежуточной 2 0. . . .
линзы можно ввести селекторную диафрагму 15Микроструктура поверхностных слоев Ni.
чтобы выделить ограниченную область. Фазовый состав (режим 2) g- твердый
Дифракционная картина образуется в раствор Al в Ni; g ' - Ni3Al; b - NiAl.
плоскости пересечения лучей между 15.
промежуточной и проекционной линзами. При 16Фазовый анализ поверхностных слоев Ni.
изменении фокусировки промежуточной линзы, 16. №. №. D,см. D,см. D, нм. D, нм. Ni.
картина смещается вниз, до совпадения с Ni. Ni. Ni3Al. Ni3Al. Ni3Al. NiAl. NiAl.
плоскостью проекционной линзы Тип NiAl. D hkl, нм. Int. hkl. D hkl, нм. Int.
электронограммы, получаемой в hkl. D hkl, нм. Int. hkl. 1. 1,50. 0,2840.
дифракционной камере зависит от размера . . . . . . 0,2870. 40. 1 0 0. 2.
кристаллитов и размера селекторной 2,05. 0,2078. . . . 0,2074. 100. 1 1 1.
диафрагмы. 7. . . . 3. 2,10. 0,2029. 0,2034. 100. 1 1
8При облучении пучком рентгеновских 1. . . . 0,2020. 100. 1 1 0. 5. 2,38.
лучей, электронов и нейтронов происходит 0,1790. . . . 0,1799. 70. 2 0 0. . .
дифракция, когда пути лучей отраженных от . 6. 2,66. 0,1602. . . . 0,1603. 40. 2
последовательно расположенных плоскостей 1 0. . . . 7. 2,97. 0,1434. . . . .
данной системы, отличаются друг от друга . . 0,1434. 20. 2 0 0. 8. 3,37. 0,1264.
на целое число волн. Каждый обнаруженный 0,1246. 21. 2 2 0. 0,1265. 60. 2 2 0.
сигнал соответствует когерентному 0,1285. 10. 2 1 0. 9. 3,97. 0,1073.
отражению, от ряда плоскостей кристалла, 0,1062. 20. 3 1 1. 0,1078. 60. 3 1 1. .
для которых выполняется условие . . 10. 4,20. 0,1014. . . . . . .
Брэгга-Вульфа 2d sin Q=nl d – расстояние 0,1015. 20. 2 2 0. 11. 4,77. 0,0893. . .
между отражающими плоскостями Q-угол между . 0,0893. 20. 4 0 0. . . . 12. 5,20.
пучком и плоскостью отражения l – длина 0,0819. . . . 0,0819. 70. 3 3 1. . .
волны рентгеновского излучения Для ОЦК . 13. 5,27. 0,0808. 0,0808. 14. 3 3 1.
дифракционные пики наблюдаются от 0,0798. 70. 4 2 0. . . .
плоскостей для которых выполняется условие
Микроскопические методы изучения морфологии и структуры нанокомпозитных систем. Просвечивающая электронная микроскопия.ppt
http://900igr.net/kartinka/fizika/mikroskopicheskie-metody-izuchenija-morfologii-i-struktury-nanokompozitnykh-sistem.-prosvechivajuschaja-elektronnaja-mikroskopija-73648.html
cсылка на страницу

Микроскопические методы изучения морфологии и структуры нанокомпозитных систем. Просвечивающая электронная микроскопия

другие презентации на тему «Микроскопические методы изучения морфологии и структуры нанокомпозитных систем. Просвечивающая электронная микроскопия»

«Ресурсы по английскому» - Программа способна заменить преподавателя, учебник и лингафонный курс. Курс открывает тонкости языка и позволяет расширить накопленные знания. Изучаем самостоятельно: Английский язык. Курс дает базовые знания языка, необходимые для общения. Курс позволяет расширить словарный запас и повысить уровень языка.

«Электронные материалы» - Обычный список (List). Полоса прокрутки (UIScrollBar). Параметры компонента. Компьютерные тренажеры способствуют приоб-ретению практических навыков. ToolBook 8.1. Структура мультимедиа курса. Средства разработки обучающих систем. Интерактивные тестирующие системы анализируют качество знаний. Компьютерные задачники.

«Электронные ресурсы для школы» - Город. Словарик. Токарь Звёздочкин. Стратегия достижений поставленных целей. Система дистанционного обучения. Еле ноги уволок От собак матерый ……… Можно разрабатывать КИМы для начальной школы. МАТРЁШКА – точеная деревянная игрушка. Возможные риски. К счастью, Тузик и Трезорка За отарой смотрят зорко.

«Морфология» - Имена существительные. Указательные местоимения: тот, такой, таков, это. Местоимения. Категория состояния. Умнейший, высочайший. Глагол может быть определением. Сравнительные частицы: как, как бы, словно, будто, точно, вроде. Глагол может быть дополнением. Н-НН в прилагательных. Глагол может быть сказуемым.

«Электронные учебники» - Задачник может быть и по гуманитарным дисциплинам. Электронный учебник должен быть адаптируем к учебному процессу. Тест. Авторская среда. Апробация. Главная проблема - подбор задач, перекрывающих весь теоретический материал. Электронный учебник удобен для преподавателя. Определение целей и задач разработки.

«Электронный документооборот» - Специализированность для электронизации бумажных текстов. Основные схемы использования ЭЦП: Характеристики электронного документа с ЭЦП: Малый размер файла. Преимущества DjVu: Система электронного документооборота (СЭД). Закрытость стандарта. Основные принципы электронного документооборота: Электронный документооборот.

Компьютерные технологии

19 презентаций о компьютерных технологиях
Урок

Физика

134 темы
Картинки
900igr.net > Презентации по физике > Компьютерные технологии > Микроскопические методы изучения морфологии и структуры нанокомпозитных систем. Просвечивающая электронная микроскопия