Физика
<<  Огэ 2015 физика ФИЗИКА в 2008-2009 учебном году  >>
share
share
share
share
Обнаружение свечения полупроводников при протекании тока (предистория
Обнаружение свечения полупроводников при протекании тока (предистория
Обнаружение свечения полупроводников при протекании тока (предистория
Обнаружение свечения полупроводников при протекании тока (предистория
Обнаружение свечения полупроводников при протекании тока (предистория
Обнаружение свечения полупроводников при протекании тока (предистория
Принцип работы светодиода
Принцип работы светодиода
Принцип работы светодиода
Принцип работы светодиода
Гетеропереходы, квантовые ямы в светодиодах
Гетеропереходы, квантовые ямы в светодиодах
Гетеропереходы, квантовые ямы в светодиодах
Гетеропереходы, квантовые ямы в светодиодах
Светодиод GaN на основе структур полупроводник- изолятор-металл
Светодиод GaN на основе структур полупроводник- изолятор-металл
Светодиод GaN на основе структур полупроводник- изолятор-металл
Светодиод GaN на основе структур полупроводник- изолятор-металл
Светодиод GaN на основе структур полупроводник- изолятор-металл
Светодиод GaN на основе структур полупроводник- изолятор-металл
Светодиод GaN на основе структур полупроводник- изолятор-металл
Светодиод GaN на основе структур полупроводник- изолятор-металл
Светодиод GaN на основе структур полупроводник- изолятор-металл
Светодиод GaN на основе структур полупроводник- изолятор-металл
Создание первого светодиода на GaN с воспроизводимым p-n-переходом
Создание первого светодиода на GaN с воспроизводимым p-n-переходом
Создание первого светодиода на GaN с воспроизводимым p-n-переходом
Создание первого светодиода на GaN с воспроизводимым p-n-переходом
Прорыв Накамуры
Прорыв Накамуры
Некоторые любопытные факты
Некоторые любопытные факты
Некоторые любопытные факты
Некоторые любопытные факты
Особенности материалов со структурой вюрцита
Особенности материалов со структурой вюрцита
Особенности материалов со структурой вюрцита
Особенности материалов со структурой вюрцита
Особенности материалов со структурой вюрцита
Особенности материалов со структурой вюрцита
Зонная структура GaN, AlN
Зонная структура GaN, AlN
Зонная структура GaN, AlN
Зонная структура GaN, AlN
Зонная структура GaN, AlN
Зонная структура GaN, AlN
Современные светодиоды на GaN
Современные светодиоды на GaN
Современные светодиоды на GaN
Современные светодиоды на GaN
Современные светодиоды на GaN
Современные светодиоды на GaN
Современные светодиоды на GaN
Современные светодиоды на GaN
Лазеры на основе GaN
Лазеры на основе GaN
Лазеры на основе GaN
Лазеры на основе GaN
Лазеры на основе GaN
Лазеры на основе GaN
Картинки из презентации «Нобелевская премия по физике 2014» к уроку физики на тему «Физика»

Автор: Aleshkin. Чтобы познакомиться с картинкой полного размера, нажмите на её эскиз. Чтобы можно было использовать все картинки для урока физики, скачайте бесплатно презентацию «Нобелевская премия по физике 2014.ppt» со всеми картинками в zip-архиве размером 3259 КБ.

Нобелевская премия по физике 2014

содержание презентации «Нобелевская премия по физике 2014.ppt»
Сл Текст Сл Текст
1Нобелевская премия по физике 2014. 7vapor phase epitaxial growth of a high
(Полупроводниковые источники синего и quality GaN film using AlN buffer
белого света). layerAppl. Phys. Lett v. 48, 353 (1986)
2Isamu Akasaki Meijo University, МОС- гидридная эпитаксия при атмосферном
Nagoya, Japan and Nagoya University, Japan давлении (H2+NH3+ триметил галлия)
Hiroshi Amano Nagoya University, Japan and Благодаря низкотемпературному росту
Shuji Nakamura University of California, буферного AlN нет трещин, материал
Santa Barbara, CA, USA (Nichia Chemicals, существенно более высокого качества,
a Tokushima, Japan) “This year’s Nobel наблюдалась краевая фотолюминесценция и
Laureates are rewarded for having invented подавление примесной ФЛ.
a new energy-efficient and 8Светодиод GaN на основе структур
environment-friendly light source – the полупроводник- изолятор-металл. Жак Панков
blue light-emitting diode (LED). In the ( Яков-Исаак Евсеевич Панчешников).
spirit of Alfred Nobel the Prize rewards 9Создание первого светодиода на GaN с
an invention of greatest benefit to воспроизводимым p-n-переходом. H. Amano,
mankind; using blue LEDs, white light can M.Kito, K.Hiramatsu, I.Akasaki. P-type
be created in a new way. With the advent condution in Mg-doped GaN treat with
of LED lamps we now have more long-lasting low-energy electron beam irradiation Jpn.
and more efficient alternatives to older J. Appl.Phys. v. 28, L2112 (1989) –
light sources. «…за изобретение нового создание p-типа GaN из полуизолирующего
эффективного и экологичного источника материала (уменьшение сопротивления на
света – синего светодиода. В духе Альфреда 105). Изготовлен светодиод на p-n-переходе
Нобеля премия присуждается за изобретения (в отличие уже существовавших на
принесшие наибольшую пользу человечеству; структурах металл- изолятор-
используя синие светодиоды можно создавать полупроводник).
источники белого света новым способом. С 10Прорыв Накамуры. S.Nakamura et al Jpn
созданием светодиодных ламп мы сейчас J. Appl. Phys, v.31, L139 (1992)
более долговечными и более эффективными S.Nakamura Jpn J. Appl. Phys, v.30, L1708
источниками света по сравнению с ранее (1991). Основные технологические
использовавшимися.». достижения Накамуры, 1. Отжиг в атмосфере
3share. Исаму Акасаки, 1929, почетный азота приводит к образованию p-типа (как
профессор университета Нагоя, Япония, оказалось водород пассивировал акцепторы)
Профессор университета Мейжи. Хироши . 2. В качестве буфера подходит
Амано,1960, профессор университета Нагоя, низкотемпературный GaN. 3. Разработка
Япония. Шуджи Накамура,1954, профессор технологии выращивания квантовых ям InGaN
Калифорнийского университета Санта на GaN и создание светодиодов с высоким
Барбара, США, (Nichia Chemicals, a кпд на их основе. 4. Создание голубого
Tokushima, Japan). лазера работающего в непрерывном режиме
4Обнаружение свечения полупроводников при комнатной температуре (лазер
при протекании тока (предистория работающий в импульсном режиме ранее был
светодиода). В 1907 г. Г. Раунд, сотрудник создан в группе Акасаки).
Маркони обнаружил желтоватое свечение 11Некоторые любопытные факты.
вблизи электродов при пропускании света 12Особенности материалов со структурой
через корунд (SiC) H.J Round Note on вюрцита. 1. Кристалл двуосный,
Carborundum. Electrical World 1907, v.49. пироэлектрический 2. Сильно выражены
Он отметил, что это свечение не связано с пьезоэлектрические свойства. Поэтому в
разогревом и поэтому представляет структурах имеются сильная встроенная
«холодное» свечение. Более того, он поляризация (электрическое поле) и
поставил первым вопрос о физической поляризация обусловленная деформацией
природе этого явления. В 1923 г. 20-ти (поля ~ 5 *106 V/cm). Носители стремятся
летний О.В.Лосев исследовал (переоткрыл) его заэкранировать.
свечение из случайно созданного p-n 13Зонная структура GaN, AlN. Aln, gan,
перехода в карборунде при приложении inn – прямозонные полупроводники.
положительного и отрицательного 14Современные светодиоды на GaN. Большая
напряжения. Он первым подробно исследовал часть синих светодиодов выпускается либо
это явление. Свечение наблюдалось как при на сапфировых подложках (Nichia). либо на
положительном смещение (свечение II по SiC (Cree). 80% рынка занимают Nichia и
Лосеву ), обусловленная инжекцией Cree. Рассогласование решеток GaN и
неосновных носителей, так и при сапфира 13.5% (14.8) а GaN и 6H-SiC только
отрицательном напряжении вблизи лавинного 3.3%. Кроме того SiC обладает лучшей
пробоя. О.В.Лосев “Поведение контактных теплопроводностью и через него можно
детекторов; влияние температуры на пропускать ток, что позволяет уменьшить
генерирующие контакты”, Телеграфия и контактное сопротивление. Но SiC подложки
телефония без проводов, № 18б сс. 45-62, дороже. Появились free-standing GaN
Март 1923 (см. также стр. 31-55 в 8а) подложки 2 дюйма, толщина 300 мкм,
Теоретическое объяснение свечению плотность дислокаций <5*106см-2. Синие
(рекомбинация в p-n –переходе ) в работе светодиоды широко используются для
Lehovec, K; Accardo, C.; Jamgochian, E. создания источников белого света либо с
Injected Light Emission of Silicon Carbide помощью сборок (триад) либо с помощью
Crystals // Physical Review. — 1951. — люминофоров. Эти источники нашли очень
Vol. 83. — P. 603–607. — широкое применение в разнообразных
DOI:10.1103/PhysRev.83.603 , обнаружение дисплеях, фонарях, источниках уличного и
свечения в p-n переходах кремния и комнатного освещения. Схема одной из
германия. Курт Леговец (1918-2012) человек конструкций белого светодиода. MPCB —
очень интересной и сложной судьбы. печатная плата с высокой тепловой
Обнаружение видимого излучения из проводимостью.
материала A3B5 (GaP) G.A.Wolff, 15Лазеры на основе GaN. Структура
R.A.Herbert, J.D.Broder Phys. Rev. v 100, полупроводникового лазера. Генерация в
1144 (1955). Олег Владимирович Лосев. импульсном режиме была достигнута в работе
5Принцип работы светодиода. I. Akasaki et al Jpn J. Appl. Phys, v.34,
6Гетеропереходы, квантовые ямы в L1517 (1995). Генерация в непрерывном
светодиодах. Ж.И.Алферов. Два важных режиме S.Nakamura et al Jpn J. Appl. Phys,
преимущества: уменьшение поглощения в v.35, L74 (1996) Лазер с временем жизни
контактных областях и возможность 104 часов был создан в 1998: S.Nakamura et
изменения дины волны. Kroemer H 1963 A al Jpn J. Appl. Phys, v.37, L627 (1998)
proposed class of hetero-junction История развития хорошо голубого лазера
injection lasers Proc. IEEE 51 1782–3 представлена в работе I. Akasaki J. Cryst.
Алферов Ж.И., Казаринов Р.Ф. Growth v 237-239, 905 (2002). Коммерческий
«Полупроводниковый лазер с электрической выпуск лазеров начался в 1999 г.
накачкой» Авт. свид. №181737. Заявка № 16Транзисторы на основе GaN. Достоинства
9508/26-25. Заявлено 30.03.1963. полевых транзисторов на структурах на
7Развитие технологии GaN. Вероятно основе GaN: 1. Большая концентрация
первая осознанная попытка создания пленок электронов в канале ~1013-1014 cm-2. 2.
монокристаллического GaN была предпринята Большие пробивные напряжения. 3. Хорошая
в работе H.P.Maruska, J.J.Tietjen The подвижность электронов. Т.о. эти
preparation and properties of транзисторы хороши для генерации мощного
vapor-deposited single-crystal line GaN. излучения в гигагерцововом диапазоне
Appl. Phys. Lett. v. 15б 327 (1969) частот, что интересно как для станций
Гидридная эпитаксия (NH3, HCl+Ga), мобильной связи так и для радиолокации
подложка –сапфир (рассогласование 13.5%) (АФАР).
Основные трудности 1. Огромное количество 17Проблемы и перспективы технологии GaN.
дефектов и большая фоновая концентрация Основные проблемы 1. Поднятие плотности
примеси ~1019 cм-3. 2. Трудности с порогового тока в светодиодах с
легированием акцепторами (Ge) – сохранением кпд. 2. Удешевление продукции
невоспроизводимость. Достижения: 3. Изготовление недорогих и качественных
монокристаллические пленки, определена Eg подложек. 4. Уменьшение числа дислокаций.
Потом были попытки легирования Zn и Mg. Перспективы 1. Полный переход на диодное
Результат легированные слои освещение. 2. Широкое распространение GaN
полуизолирующие. Следующий шаг H. Amano, транзисторов. 3. Создание ультрафиолетовых
N.Sawaki, I.Akasaki, Y.Toyoda Metalorganic лазеров.
Нобелевская премия по физике 2014.ppt
http://900igr.net/kartinka/fizika/nobelevskaja-premija-po-fizike-2014-111542.html
cсылка на страницу

Нобелевская премия по физике 2014

другие презентации на тему «Нобелевская премия по физике 2014»

«Игры физика» - Заключение V. Библиографический список. Стали вы охотнее заниматься на уроках физики. Проводились ли у вас когда-нибудь игры по физике? Хотели бы вы еще поучаствовать в игре по физике? Стали ли вы охотней заниматься на уроках физики, после участия в физической игре? Внеурочная деятельность по физике.

«Курс физики» - Открытая астрономия. Физика атома и атомного ядра. Движение и взаимодействие тел. Электрические поля. Открытая физика. Мощность. Работа. Квантовая физика. Молекулярная структура матери. Астрономия. 3D-путешествие по Солнечной системе. Два уровня изучения предмета: базовый и углубленный. Биографии и портреты выдающихся ученых.

«Свет физика» - Орбита Земли. Орбита Юпитера. Ньютон Гюйгенс. «Сколько у света скоростей?». Конечность скорости света доказывается экспериментально прямым и косвенным методами. Время движения света t=2?/c, поэтому дает с = 3,14•10 8 м/с. Двойственность свойств света называется корпускулярно – волновым дуализмом. Тема:

«Изучение физики» - Оптика. Электродинамика. Механика! Физические явления: Где мы сталкиваемся с физикой? Что изучает ФИЗИКА? Вводный урок по физике 7 класс. Физика –одна из многочисленных наук о природе. Строение вещества. С электромагнитными явлениями вы тоже встречаетесь на каждом шагу. Так зачем же нужна вам физика?

«Развитие физики» - Физика утратила инструмент проверки гипотез. Пионер высокочастотной техники (генераторы, трансформатор и др.; 1889-91гг). В честь Н. Тесла названа единица магнитной индукции(B).Обозначается Тл. Благодаря физике люди открыли много интересного и полезного для себя. Никола Тесла (1856 – 1943 гг.). Такого же мнения придерживался недавно умерший советский физик А. С. Компанеец.

«Физика» - Звук распространяется только в среде. 5. Уменьшается плотность воздуха. 6. Нет, неразумно. Тест: «Оптические явления»продолжение. Ковровые дорожки хорошо поглощают звук. Задачки: «русские физики и изобретатели». С какой целью в читальных залах устилают пол ковровыми дорожками? А физики бы сказали, что у такого корабля опасно поднимается…

Физика

16 презентаций о физике
Урок

Физика

134 темы
Картинки
900igr.net > Презентации по физике > Физика > Нобелевская премия по физике 2014