Оптические явления
<<  Оптическое решение безопасности движения Оптические иллюзии и их применение  >>
Презентация проекта на тему: «Разработка и создание ячейки памяти
Презентация проекта на тему: «Разработка и создание ячейки памяти
Цель проекта:
Цель проекта:
Наноструктурный магнитный образец с произведенной записью информации
Наноструктурный магнитный образец с произведенной записью информации
Наноструктурный магнитный образец с произведенной записью информации
Наноструктурный магнитный образец с произведенной записью информации
Спасибо за внимание
Спасибо за внимание
Картинки из презентации «Разработка и создание ячейки памяти нового типа на основе оптического перемагничивания нанокластеров (Si-Me)n в наноструктурированных магнитных материалах Sin-Mem» к уроку физики на тему «Оптические явления»

Автор: Igor Baydurov. Чтобы познакомиться с картинкой полного размера, нажмите на её эскиз. Чтобы можно было использовать все картинки для урока физики, скачайте бесплатно презентацию «Разработка и создание ячейки памяти нового типа на основе оптического перемагничивания нанокластеров (Si-Me)n в наноструктурированных магнитных материалах Sin-Mem.ppt» со всеми картинками в zip-архиве размером 952 КБ.

Разработка и создание ячейки памяти нового типа на основе оптического перемагничивания нанокластеров (Si-Me)n в наноструктурированных магнитных материалах Sin-Mem

содержание презентации «Разработка и создание ячейки памяти нового типа на основе оптического перемагничивания нанокластеров (Si-Me)n в наноструктурированных магнитных материалах Sin-Mem.ppt»
Сл Текст Сл Текст
1Презентация проекта на тему: 9г. Таким образом, к моменту выхода на
«Разработка и создание ячейки памяти рынок (в 2016-2017 гг) планируемая
нового типа на основе оптического плотность записи 32 Гбит/чип должна
перемагничивания нанокластеров (Si-Me)n в соответствовать мировому уровню или
наноструктурированных магнитных материалах превышать его. 9. Создание производства
Sin-Mem » ООО «ПлазмоСил» Генеральный магнитных наноструктурированных материалов
директор Лазарев Александр Петрович с эффектом оптического перемагничивания.
394026, г. Воронеж, ул.Солнечная, д. 31А, 10Рынок: 1. Рынок магнитных
оф. 116 Тел. 8-915-542-62-62 E-mail: наноматериалов Российский рынок:
lazarevap50@mail.ru. 1. 1млрд.рублей; Наша доля: от 10 до 20%
2Предпосылки проекта. Считается, что к Потребители: Зеленоград (есть
2020 году произойдет переход к новым договоренность); Екатеринбург (есть
элементам памяти на основе спинтронных договоренность); Красноярск (есть
устройств, так называемой MRAM - magnetic договоренность); ВУЗЫ, осуществляющие
random access memory, что приведет к подготовку по направлениям 020300 «Химия,
резкому изменению компьютерных устройств. физика и механика материалов», 200700
Скорость доступа к такой памяти будет в «Фотоника и оптоинформатика» 022200
тысячи раз больше, чем у нынешних «Наносистемы и наноматериалы», 152100
элементов flash-памяти, ресурс перезаписи «Наноматериалы», 210100 «Электроника и
– в сто тысяч раз больше. В спинтронном наноэлектроника», 222900 «Нанотехнологии и
устройстве для передачи информации микросистемная техника» (более 80 ВУЗов в
используются магнитные свойства РФ; Мировой рынок: 1 млрд. долларов Наша
электронов, необходима разработка доля: до 1% 2. Рынок запоминающих
ферромагнитных полупроводников, устройств Российский рынок – 300
электрофизическими свойствами которых млн.долларов (?10млрд. Рублей): Наша доля:
можно управлять электрическими и ?до 10-15%. Мировой рынок – 25
магнитными полями, оптическим млрд.долларов. Наша доля – 0,5%
воздействием. Существующую проблему Потребители: Зеленоград, Ecol Centrale
увеличения объема и скорости переключения Lille, ZEMN-Lille, France (институт
памяти при одновременной миниатюризации электроники, микроэлектроники и
элементов связывают с необходимостью нанотехнологий, Франция, Лилль)
разработки материалов и методов Конкуренты: Sumsung, Toshiba, Micron,
записи/считывания информации. 2. Hynix, Departament of Phisics and Research
3Предпосылки проекта. В настоящем Center OPTIMAS University of
проекте решают фундаментальные и Kaiserslautern. 10. Создание производства
технологические задачи по созданию нового магнитных наноструктурированных материалов
типа материалов - наноструктурированных с эффектом оптического перемагничивания.
систем на основе силицидов переходных 11Область реализации. внешние устройства
металлов Sin-Mem, пригодных для полностью памяти (конкуренты DVD и Blu-Ray
оптического перемагничивания, для устройств, жесткие магнитные диски);
промышленной технология получения таких монолитные устройства с использованием
материалов и создания ячейка памяти нового интегральной оптики и терхмерной
типа на основе оптического интеграции, конкурирующие с современными
перемагничивания нанокластеров (Si-Me)n в устройствами оперативной и flash-памяти;
магнитных наноструктурированных силицидах кремниевая фотоника: интегральное
переходных металлов Sin-Mem. Полученные устройство на кремниевой пластине,
наноструктуры технологически полностью совместимое с КМОП-технологией для внешних
интегрируемы с современными кремниевыми накопителей (замена современных
технологиями, что является и очень накопителей), оперативной памяти,
выгодным экономическим фактором. 3. кэш-памяти процессоров, оптоэлектронного
4Цель проекта: Технология получения процессора. 11. Создание производства
магнитных наноструктур на основе силицидов магнитных наноструктурированных материалов
переходных металлов на кремнии Men-Sim-Si, с эффектом оптического перемагничивания.
предназначенных для элементов сверхплотной 12Технические достижимые параметры.
памяти нового поколения на основе диаметр магнитной пленки на кремниевой
оптического перемагничивания нанокластеров подложке не менее 20 мм; размер магнитных
(Si-Me)n с помощью эффектов ближнего поля. нанокластеров магнитной пленки на
Разработка технологии изготовления и кремниевой подложке не более 50 нм;
опытной конструкции интегрального температура Кюри магнитных наноструктур не
энергонезависимого устройства памяти с ниже 300 К; оптический зонд должен быть
полностью оптическим считыванием/записью выполнен на основе оптических волокон с
информации, совместимой с кремниевыми металломагнитным покрытием с острием
технологими и ориентированной на серийное наконечника не более 25-30 нм с аппертурой
производство, на основе магнитных около 50нм.; оптимальная стоимость записи
наноструктурированных материалов информации определяется по окончанию
Men-Sim-Si. Создание производства проекта и должна быть в разы меньше
магнитных наноструктурированных материалов современной рыночной цены. 12. Создание
с эффектом оптического перемагничивания. производства магнитных
5Достигнутые результаты: Результаты, наноструктурированных материалов с
полученные авторами проекта, показывают эффектом оптического перемагничивания.
перспективность применения новых 13Технические достижимые параметры.
материалов - наноструктурированных Проверка возможности использования
магнитных систем на основе силицидов образцов для сверхплотной
переходных металлов - для разработки на их записи/считывания информации будет
основе устройств памяти. Одним из основных производиться двумя методами: на основе
преимуществ данных устройств должно стать полностью оптической записи информации
сверхвысокое быстродействие, которое циркулярно-поляризованным светом и на
обеспечивается новым способом записи, еще основе взаимодействия с зондом
не используемым в серийных устройствах, - магнитно-силового микроскопа. Первый метод
полностью оптическим перемагничиванием записи позволяет проверить применимость
циркулярно- поляризованным светом. материала для сверхбыстрой
Экспериментально полученные в ряде работ записи/перезаписи информации, а второй –
значения времени переключения - порядка применимость для сверхплотной записи
десятков фемтосекунд – существенно информации. 13. Создание производства
превосходят по быстродействию все магнитных наноструктурированных материалов
существующие способы записи информации. В с эффектом оптического перемагничивания.
сочетании с использованием ближнепольного 14Партнеры: - ЗАО
взаимодействия, позволяющего уменьшить «Научно-исследовательский институт
область воздействия оптического излучения электронной техники» (НИИЭТ), г. Воронеж –
до десятков нанометров, можно добиться от осуществление плазмохимического травления
устройств с полностью оптической записью (магнетронного распыления) образцов; - ОАО
информации не только сверхвысокого «Воронежский завод полупроводниковых
быстродействия, но и сверхвысокой приборов – Сборка» (ВЗПП-С), г.Воронеж –
плотности записи информации. 5. Создание корпусирование образцов; - ЗАО «НТ-МДТ»,
производства магнитных г. Зеленоград – поставка оптических зондов
наноструктурированных материалов с для оптической записи информации,
эффектом оптического перемагничивания. кантилеверов для контроля качества
6Наноструктурный магнитный образец с образцов с помощью атомно-силовой
произведенной записью информации микроскопии (АСМ); - ВГУ, МИРЭА – приборы
оптическим путем. Подтверждено патентом. атомно-силовой микроскопии (АСМ) для
Топография поверхности (а) и распределение контроля качества образцов. 14. Создание
намагниченности (б) в системе Ni-Si после производства магнитных
записи изображения буквы «V» наноструктурированных материалов с
циркулярно-поляризованным светом. 6. эффектом оптического перемагничивания.
7Преимущества проекта: 1. Отсутствие 15План работ. Разработка промышленных
мирового аналога при наличии спроса на технологий изготовления
такие материалы. 2. Низкая наноструктурированных магнитных силицидов
энергопотребляемость при производстве переходных металлов Sin-Mem на кремниевой
(изготовлении) и использовании. 3. Низкая подложке с возможностью оптического
себестоимость по сравнению с рыночной. 4. перемагничивания нанокластеров (Si-Me)m;
Свехвысокое быстродействие. (Время Разработка оптического зонда для
переключения ?10-15 с (фемтосекунды) 5. оптического перемагничивания нанокластеров
Сверхплотная запись (область оптического (Si-Me)m при ближнепольном воздействии в
воздействия (перемагничивания) составляет наноструктурированных магнитных силицидов
десятки нанометров (10-9м ) ?50 нм). 6. переходных металлов Sin-Mem на кремниевой
Совместимость с современной кремниевой подложке; Разработка технологической карты
технологией (микроэлектоника, изготовления ячейки памяти нового типа,
наноэлектроника). 7. Безмасочная обработка основанной на оптическом перемагничивании
пластин кремния (Si )(отсутствие нанокластеров (Si-Me)m при ближнепольном
нанолитографических процессов. 7. Создание воздействии в наноструктурированных
производства магнитных магнитных силицидов переходных металлов
наноструктурированных материалов с Sin-Mem на кремниевой подложке. Подробный
эффектом оптического перемагничивания. план работ изложен в документе Описание
8Реализация проекта: Технология проекта ячейки памяти.doc. 15. Создание
изготовления устройств памяти может быть производства магнитных
максимально ориентирована на применение наноструктурированных материалов с
стандартного технологического оборудования эффектом оптического перемагничивания.
КМОП- процесса, поэтому мелкосерийное 16План развития проекта. Текущая стадия:
производство опытной партии может быть завершение НИОКР, изготовление
организовано на предприятиях г.Воронежа лабораторных образцов, патентование.
(ОАО "Научно-исследовательский Ключевые точки проекта: IV кв. 2017 г. –
институт электронной техники", ОАО завершение НИОКР, I-II кв. 2018 г. -
"Воронежский Завод Полупроводниковых производство, запуск продаж I кв. 2019 г.
Приборов-Сборка") без дополнительной – точка окупаемости II кв. 2019 г. - рост
закупки промышленного оборудования. По бизнеса, выход на европейский рынок. 16.
результатам выполнения работы можно Создание производства магнитных
выделить следующие три основных вида наноструктурированных материалов с
конкурентоспособной продукции: эффектом оптического перемагничивания.
-наноструктурированные магнитные 17Финансирование. Требуемые инвестиции
материалы, пригодные для полностью для достижения ключевых точек проекта: 90
оптического перемагничивания циркулярно- млн. руб. за 3 года - средства фонда
поляризованным светом; -установка Софинансирование: 36 млн. руб. за 3 года –
локализованного газового разряда для собственные средства и средства партнеров.
безлитографических процессов формирования Софинансирование проекта будет
наноструктур и безмасочного локального предназначено для доработки результатов
травления; -новый тип сверхбыстрых НИОКР для внедрения в производство;
энергонезависимых запоминающих устройств с Текущие и потенциальные инвесторы: ООО
полностью оптическим перемагничиванием. 8. «Росбиоквант», ООО «Арго», учредители ООО
Создание производства магнитных «ПлазмоСил», ОАО «ВЗПП-С», ОАО «Кристина»,
наноструктурированных материалов с Technological Center Lurederra (Испания);
эффектом оптического перемагничивания. Инвестиционное предложение: доля бизнеса
9Рынок: Основные сегменты рынка, на Прямая отдача – с момента окупаемости в I
которые претендует продукция, которая кв. 2019 г. 17. Создание производства
может быть создана с использованием магнитных наноструктурированных материалов
результатов, полученных в ходе выполнения с эффектом оптического перемагничивания.
настоящей работы: 1)Рынок запоминающих 18Команда проекта. Руководитель проекта:
устройств типа flash-памяти. 2)Рынок Сигов Александр Сергеевич – академик РАН,
твердотельных жестких магнитных дисков. профессор, автор 350 научных публикаций,
3)Рынок оборудования для изготовления Президент МИРЭА (г.Москва). Ответственный
наноструктурированных материалов и исполнитель проекта: Лазарев Александр
изготовления устройств микросистемной Петрович – кандидат физ.-мат.наук, автор
техники. 4)Рынок магнитных наноматериалов. более 120 научных публикаций, 6 патентов
Рынок устройств памяти Мировой объем рынка РФ, руководитель двух госудратсвенных
flash-памяти в 2008 г. ориентировочно контрактов по ФЦП. «Исследования и
составлял 15 млрд. долл. К 2011 г. Рынок разработки по приоритетным направлениям
достиг объема 25 млрд.долл. В 2012 г. развития научно-технического комплекса на
произошло некоторое снижение объема рынка 2007-2013 годы», имеет большой опыт
до 24 млрд.долл., однако по прогнозам организации и внедрения инновационной
iSuppli с 2013 года рост рынка должен продукции. Даринский Борис Михайлович –
возобновиться. Объем российского рынка доктор физ.-мат.наук, профессор, автор
flash-памяти составляет ~ 300 млн. долл. В более 250 научных работ. Битюцкая Лариса
целом, рынок flash-памяти является Александровна – кандидат химических наук,
довольно устойчивым, на протяжении автор более 200 научных публикаций, 10
длительного времени на нем лидируют 4 патентов РФ, является одним из ведущих
основных производителя: фирмы Samsung, ученых в РФ в области нанотехнологий,
Toshiba, Micron, Hynix. Доля остальных материаловедения. Куцелык Татьяна
производителей крайне незначительна - в Валентиновна – молодой специалист, автор 2
течение длительного времени она не научных публикаций, научный сотрудник.
превышает 1%. Рынок памяти DRAM имеет Пахомов Алексей Юрьевич – канд.физ.-мат.
объем, сопоставимый с объемом рынка наук, автор 10 научных публикаций.
flash-памяти. Наиболее объемные сегменты Даринский Александр Борисович -
рынка DRAM-памяти - DDR-память и память канд.физ.-мат. наук, автор 8 научных
для мобильных устройств, прежде всего, публикаций. Тучин Андрей Витальевич –
смартфонов. Один из наиболее динамичных аспирант, автор 8 научных публикаций.
рынков-потребителей DRAM-памяти - рынок Глушков Григорий Иванович – магистр, автор
смартфонов – является потребителем памяти 2 научных публикаций. 18. Создание
с плотностью записи ~ 8 Гб/чип. В 2013 производства магнитных
году отмечается рост доли памяти с наноструктурированных материалов с
плотностью 16 Гбит/чип примерно до 15%. На эффектом оптического перемагничивания.
рынке DDR-памяти прогнозируемая средняя 19Спасибо за внимание! 19.
плотность памяти достигнет 8 Гб/чип к 2015
Разработка и создание ячейки памяти нового типа на основе оптического перемагничивания нанокластеров (Si-Me)n в наноструктурированных магнитных материалах Sin-Mem.ppt
http://900igr.net/kartinka/fizika/razrabotka-i-sozdanie-jachejki-pamjati-novogo-tipa-na-osnove-opticheskogo-peremagnichivanija-nanoklasterov-si-men-v-nanostrukturirovannykh-magnitnykh-materialakh-sin-mem-236544.html
cсылка на страницу

Разработка и создание ячейки памяти нового типа на основе оптического перемагничивания нанокластеров (Si-Me)n в наноструктурированных магнитных материалах Sin-Mem

другие презентации на тему «Разработка и создание ячейки памяти нового типа на основе оптического перемагничивания нанокластеров (Si-Me)n в наноструктурированных магнитных материалах Sin-Mem»

«Оптическая сила линзы» - Линза от нем. linse, от лат.lens — чечевица. Линзы являются универсальным оптическим элементом большинства оптических систем. Оптическую силу собирающей линзы условились считать положительной величиной. Изображение: мнимое, увеличенное, прямое. Изображение: действительное, перевёрнутое, увеличенное.

«Магнитные свойства» - Парамагнетизм лития. Силовые линии магнитного поля всегда замкнуты. Разобраться, как изменяется магнитное поле в веществе. Катушки с током широко используются в технике в качестве МАГНИТОВ. Что такое температура Кюри? Магнитное поле усиливается по сравнению с приложенным внешним полем. Применение магнитных свойств веществ.

«Правила магнитного поля» - На рисунке показано магнитная линия (как прямолинейная, так и криволинейная). Сила, действующая на заряд. Правило правой руки для проводника с током. Для изображения магнитного поля пользуются следующим приемом. Такое поле называют неоднородным. Для наглядного представления магнитного поля мы пользовались магнитными линиями.

«Sin и cos» - Отношение синуса к косинусу – это тангенс? Абсцисса точки, лежащей на единичной окружности, называется синусом? Синус 60° равен ?? Урок по алгебре и началам анализа в 10 классе. Синус – это … Верно ли ,что косинус 6,5 больше нуля? Решение тригонометрических уравнений и неравенств. Верно ли, что аrcsin(-?)=-п/6?

«Системы оптического распознавания документов» - Растровое изображение каждого символа последовательно накладывается на растровые шаблоны символов, хранящиеся в памяти системы оптического распознавания. Распознаваемый символ «Б» накладывается на растровые шаблоны символов (А, Б, В и т. д.). Откройте файл «Задание к зачетной работе.doc» из своей папки.

«Оптические системы» - 9. Учебные материалы: Методические указания: Иванова Т.В. Введение в прикладную и компьютерную оптику. Специальность и специализация. Фотоаппараты. Потребности прикладной оптики в компьютерных технологиях. Глаз и зрение. Специализация. 3-й модуль: недели. Телескопы. Фотолитография. Микроскопы. Направления прикладной и компьютерной оптики.

Оптические явления

11 презентаций об оптических явлениях
Урок

Физика

134 темы
Картинки
900igr.net > Презентации по физике > Оптические явления > Разработка и создание ячейки памяти нового типа на основе оптического перемагничивания нанокластеров (Si-Me)n в наноструктурированных магнитных материалах Sin-Mem