Полупроводники |
Физика | ||
<< Электролиз | Электроприборы >> |
Чтобы посмотреть содержание презентации нажмите на её эскиз. Чтобы бесплатно скачать презентацию по полупроводникам нажмите на её название.
Название презентации | Автор | Слайды | Слова | Звуки | Эффекты | Время | Скачать |
Полупроводники | Пользователь | 19 | 1124 | 0 | 45 | 00:00 | 2 373 кБ |
Ток в полупроводниках | 24 | 398 | 0 | 0 | 00:00 | 1 044 кБ | |
Физика полупроводников | 1 | 41 | 1498 | 1 | 36 | 00:00 | 4 330 кБ |
Проводимость полупроводников | 27 | 1155 | 0 | 254 | 00:00 | 262 кБ | |
Электрический ток в полупроводниках | Агафонцев | 19 | 847 | 0 | 0 | 00:00 | 1 416 кБ |
Полупроводниковые приборы | HomePC | 33 | 1817 | 0 | 129 | 00:00 | 2 058 кБ |
Физика полупроводниковых приборов | SANTERI | 33 | 3115 | 0 | 0 | 00:00 | 2 413 кБ |
Диод | Елена | 16 | 1443 | 0 | 20 | 00:00 | 1 392 кБ |
Полупроводниковые диоды | 24 | 1828 | 0 | 0 | 00:00 | 2 288 кБ | |
Транзистор | Анна | 35 | 1751 | 0 | 1 | 17:30 | 209 кБ |
Принцип транзистора | ws | 18 | 1162 | 0 | 81 | 00:00 | 553 кБ |
Полевые транзисторы | Сидорова в.Б. | 10 | 400 | 0 | 0 | 00:00 | 200 кБ |
Эмиттеры | Мавпа | 26 | 1969 | 0 | 0 | 00:00 | 1 146 кБ |
Всего : 13 презентаций | 325 | 00:17 | 19 мБ |
Основные свойства. Образование и движение электронов. Движение электронов. Внедрение атомов мышьяка. Внедрение атомов индия. Положительный электрод. Транзисторы. Транзистор. Применение полупроводников. - Полупроводники.pptx
Займан. Электрический транспорт Движение электрона в электрическом поле F. Скорость дрейфа. Проводимость. Плотность носителей тока. Полупроводники: InAs InN. В металлах. Электронов в металле ~. Электронно-дырочный ток в полупроводнике. Зависимость сопротивления от температуры Металл Чистый полупроводник. Как экспериментально изучают электропроводность полупроводников? Прямые и непрямые межзонные переходы. Край собственного поглощения. Эффект Холла. Проводимость примесных полупроводников. Акцепторы Ge: Al, Ga, In. Зависимость проводимости от концентрации примеси. Транзистор – полупроводниковый триод. - Ток в полупроводниках.ppt
Интегрированный урок физика + химия + электротехника с применением ИКТ. Карл Браун Фердинанд. Окончил Берлинский университет(1872). (10.02 1902)-американский физик. Работы посвящены физике и технике полупроводников. (10.02 1894-23.01 1952)-немецкий физик-теоретик. С 1921 работал в Ленинградском физико-техническом институте. В 1930 обнаружил существование двух типов полупроводников-электронных и дырочных. Наряду с Вальтер Шоттки является создателем физики полупроводников в Германии. (2.07 1906)-английский физик, член Лондонского королевского общества. Ввел деление полупроводников на собственные и примесные, представление о донорной и акцепторной проводимости. - Физика полупроводников.ppt
Электрический ток в различных средах. Классификация веществ по проводимости. Проводимость веществ. Проводимость полупроводников на основе кремния. Электрический ток в полупроводниках. Собственная проводимость. 2 типа полупроводников. Рассмотрим электрический контакт двух полупроводников. Основное свойство p – n перехода. Полупроводниковый диод – это p – n переход. Схема однополупериодного выпрямителя. Вопросы для контроля. - Проводимость полупроводников.ppt
Электрический ток в металлах. Сила тока в проводнике. Зависимость сопротивления проводника от температуры. Передача электроэнергии от источника к потребителям В электродвигателях и генераторах В нагревательных приборах. Проводимость полупроводников. Электрический ток в вакууме. Термоэлектронная эмиссия – испускание электронов нагретыми телами. Электрический ток в жидкостях. Электролитическая диссоциация – распад молекул электролита на ионы под действием растворителя. При ионной проводимости прохождение тока сопровождается переносом вещества. Электролиз – процесс выделения вещества на электродах, связанный с окислительно-восстановительными реакциями. - Электрический ток в полупроводниках.ppt
Введение. Термины, определения и буквенные обозначения параметров; 20003-74 – Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. Первый элемент. Обычно буква выбирается из названия прибора, как первая буква названия. Четвертый элемент. Условные обозначения и классификация зарубежных полупроводниковых приборов. В системе Pro Electron приняты следующие условные обозначения: Второй элемент (буква) обозначает подкласс полупроводниковых приборов. Вид полупроводникового материала в японской системе не отражается. Используются 3 цифры (0, 1, 2 и 3) в соответствии с типом прибора. - Полупроводниковые приборы.ppt
Введение. Энергетическая диаграмма обычного (гомогенного) p-n перехода. Энергетическая диаграмма. Максимальная эффективность излучения. Спектры светодиодов. Оптические полусферы. Применение светодиодов. Существующие лазеры. Полупроводники с прямой запрещенной зоной. Базовая структура лазера с p-n переходом. В основном состоянии находится больше атомов, чем в возбужденном. Мезополосковая структура лазера создается путем травления. Режим спонтанной эмиссии, наблюдающейся при низких токах. Применение полупроводниковых лазеров. Самый маленький полупроводниковый лазер в мире. - Физика полупроводниковых приборов.ppt
Туннельные диоды. Переходные процессы. В n-полупроводниках такая зона перекрывается с зоной проводимости, а в p-полупроводниках – с валентной зоной. Геометрическая ширина p+-n+ перехода оказывается сравнима с дебройлевской длиной волны электрона. В состоянии равновесия суммарный ток через переход равен нулю. В качестве параметров используются напряжения и токи, характеризующие особые точки ВАХ. Напряжение Uп соответствует току Iп. Напряжение раствора Upp соответствует значению тока Iп на диффузионной ветви характеристики. На рисунке приведены координатные зависимости концентрации p(x,t) в различные моменты времени. - Диод.ppt
Основное понятие. Устройство. ВАХ и параметры. Обратный ток. Туннельные диоды. Схема стабилитрона. Обозначение. Применение. Полупроводниковый диод. Методика внесения примесей в полупроводник. Параметры полупроводниковых диодов. - Полупроводниковые диоды.ppsx
Когда ключ разомкнут, ток в цепи эмиттера (далее Э) отсутствует. Потенциальная диаграмма. На рис. 1 показано включение транзистора типа р-n-р по схеме с общей базой. Транзистор, у которого эмиттер и коллектор n-типа, а база p-типа, называется транзистором n-p-n-типа. Небольшая часть дырок рекомбинирует в базе, образуя ток базы Iб. На рис.2 индексом "0" обозначены равновесные концентрации носителей. Токи в транзисторе. Цепь тока Эмиттер-База замкнута. Около перехода образуется область повышенной концентрации дырок и электронов. Такому изменению распределения соответствует увеличение эмитерного напряжения. - Транзистор.ppt
Демонстрационный характер. У. Шокли. Схематическое устройство транзистора. Напряженность поля. Схема включения транзистора с общей базой. Цепь эмиттера. Биполярные фототранзисторы. Переделка транзистора в фототранзистор. Германиевый транзистор. - Принцип транзистора.ppt
Трехэлектродный полупроводниковый прибор. Схема и структура полевого транзистора. Полевой транзистор со встроенным каналом. Полевой транзистор с индуцированным каналом. Напряжение отсечки. - Полевые транзисторы.pptx
Автоэмиссионные катоды. Характеристика карбида кремния. Примеры приборов на SiC. Способ изготовления SiC катода. Схема технологического маршрута. Основные уравнения автоэмиссии. Максимальная напряженность. Результаты. Описание этапов. Напыление европия. Численные значения ВАХ. Основные конструктивные элементы. - Эмиттеры.ppt