Полупроводники

Презентации о полупроводниках для уроков физики

Чтобы посмотреть содержание презентации нажмите на её эскиз. Чтобы бесплатно скачать презентацию по полупроводникам нажмите на её название.

Презентации о полупроводниках

список всех презентаций по полупроводникам в виде таблицы

Чтобы посмотреть презентацию нажмите на ссылку в столбце «Название презентации».
Чтобы бесплатно скачать презентацию нажмите на ссылку в колонке «Скачать».

Презентации про полупроводники

Полупроводники

Слайдов: 19   Слов: 1124   Звуков: 0   Эффектов: 45

Основные свойства. Образование и движение электронов. Движение электронов. Внедрение атомов мышьяка. Внедрение атомов индия. Положительный электрод. Транзисторы. Транзистор. Применение полупроводников. - Полупроводники.pptx

Ток в полупроводниках

Слайдов: 24   Слов: 398   Звуков: 0   Эффектов: 0

Займан. Электрический транспорт Движение электрона в электрическом поле F. Скорость дрейфа. Проводимость. Плотность носителей тока. Полупроводники: InAs InN. В металлах. Электронов в металле ~. Электронно-дырочный ток в полупроводнике. Зависимость сопротивления от температуры Металл Чистый полупроводник. Как экспериментально изучают электропроводность полупроводников? Прямые и непрямые межзонные переходы. Край собственного поглощения. Эффект Холла. Проводимость примесных полупроводников. Акцепторы Ge: Al, Ga, In. Зависимость проводимости от концентрации примеси. Транзистор – полупроводниковый триод. - Ток в полупроводниках.ppt

Физика полупроводников

Слайдов: 41   Слов: 1498   Звуков: 1   Эффектов: 36

Интегрированный урок физика + химия + электротехника с применением ИКТ. Карл Браун Фердинанд. Окончил Берлинский университет(1872). (10.02 1902)-американский физик. Работы посвящены физике и технике полупроводников. (10.02 1894-23.01 1952)-немецкий физик-теоретик. С 1921 работал в Ленинградском физико-техническом институте. В 1930 обнаружил существование двух типов полупроводников-электронных и дырочных. Наряду с Вальтер Шоттки является создателем физики полупроводников в Германии. (2.07 1906)-английский физик, член Лондонского королевского общества. Ввел деление полупроводников на собственные и примесные, представление о донорной и акцепторной проводимости. - Физика полупроводников.ppt

Проводимость полупроводников

Слайдов: 27   Слов: 1155   Звуков: 0   Эффектов: 254

Электрический ток в различных средах. Классификация веществ по проводимости. Проводимость веществ. Проводимость полупроводников на основе кремния. Электрический ток в полупроводниках. Собственная проводимость. 2 типа полупроводников. Рассмотрим электрический контакт двух полупроводников. Основное свойство p – n перехода. Полупроводниковый диод – это p – n переход. Схема однополупериодного выпрямителя. Вопросы для контроля. - Проводимость полупроводников.ppt

Электрический ток в полупроводниках

Слайдов: 19   Слов: 847   Звуков: 0   Эффектов: 0

Электрический ток в металлах. Сила тока в проводнике. Зависимость сопротивления проводника от температуры. Передача электроэнергии от источника к потребителям В электродвигателях и генераторах В нагревательных приборах. Проводимость полупроводников. Электрический ток в вакууме. Термоэлектронная эмиссия – испускание электронов нагретыми телами. Электрический ток в жидкостях. Электролитическая диссоциация – распад молекул электролита на ионы под действием растворителя. При ионной проводимости прохождение тока сопровождается переносом вещества. Электролиз – процесс выделения вещества на электродах, связанный с окислительно-восстановительными реакциями. - Электрический ток в полупроводниках.ppt

Полупроводниковые приборы

Слайдов: 33   Слов: 1817   Звуков: 0   Эффектов: 129

Введение. Термины, определения и буквенные обозначения параметров; 20003-74 – Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. Первый элемент. Обычно буква выбирается из названия прибора, как первая буква названия. Четвертый элемент. Условные обозначения и классификация зарубежных полупроводниковых приборов. В системе Pro Electron приняты следующие условные обозначения: Второй элемент (буква) обозначает подкласс полупроводниковых приборов. Вид полупроводникового материала в японской системе не отражается. Используются 3 цифры (0, 1, 2 и 3) в соответствии с типом прибора. - Полупроводниковые приборы.ppt

Физика полупроводниковых приборов

Слайдов: 33   Слов: 3115   Звуков: 0   Эффектов: 0

Введение. Энергетическая диаграмма обычного (гомогенного) p-n перехода. Энергетическая диаграмма. Максимальная эффективность излучения. Спектры светодиодов. Оптические полусферы. Применение светодиодов. Существующие лазеры. Полупроводники с прямой запрещенной зоной. Базовая структура лазера с p-n переходом. В основном состоянии находится больше атомов, чем в возбужденном. Мезополосковая структура лазера создается путем травления. Режим спонтанной эмиссии, наблюдающейся при низких токах. Применение полупроводниковых лазеров. Самый маленький полупроводниковый лазер в мире. - Физика полупроводниковых приборов.ppt

Диод

Слайдов: 16   Слов: 1443   Звуков: 0   Эффектов: 20

Туннельные диоды. Переходные процессы. В n-полупроводниках такая зона перекрывается с зоной проводимости, а в p-полупроводниках – с валентной зоной. Геометрическая ширина p+-n+ перехода оказывается сравнима с дебройлевской длиной волны электрона. В состоянии равновесия суммарный ток через переход равен нулю. В качестве параметров используются напряжения и токи, характеризующие особые точки ВАХ. Напряжение Uп соответствует току Iп. Напряжение раствора Upp соответствует значению тока Iп на диффузионной ветви характеристики. На рисунке приведены координатные зависимости концентрации p(x,t) в различные моменты времени. - Диод.ppt

Полупроводниковые диоды

Слайдов: 24   Слов: 1828   Звуков: 0   Эффектов: 0

Основное понятие. Устройство. ВАХ и параметры. Обратный ток. Туннельные диоды. Схема стабилитрона. Обозначение. Применение. Полупроводниковый диод. Методика внесения примесей в полупроводник. Параметры полупроводниковых диодов. - Полупроводниковые диоды.ppsx

Транзистор

Слайдов: 35   Слов: 1751   Звуков: 0   Эффектов: 1

Когда ключ разомкнут, ток в цепи эмиттера (далее Э) отсутствует. Потенциальная диаграмма. На рис. 1 показано включение транзистора типа р-n-р по схеме с общей базой. Транзистор, у которого эмиттер и коллектор n-типа, а база p-типа, называется транзистором n-p-n-типа. Небольшая часть дырок рекомбинирует в базе, образуя ток базы Iб. На рис.2 индексом "0" обозначены равновесные концентрации носителей. Токи в транзисторе. Цепь тока Эмиттер-База замкнута. Около перехода образуется область повышенной концентрации дырок и электронов. Такому изменению распределения соответствует увеличение эмитерного напряжения. - Транзистор.ppt

Принцип транзистора

Слайдов: 18   Слов: 1162   Звуков: 0   Эффектов: 81

Демонстрационный характер. У. Шокли. Схематическое устройство транзистора. Напряженность поля. Схема включения транзистора с общей базой. Цепь эмиттера. Биполярные фототранзисторы. Переделка транзистора в фототранзистор. Германиевый транзистор. - Принцип транзистора.ppt

Полевые транзисторы

Слайдов: 10   Слов: 400   Звуков: 0   Эффектов: 0

Трехэлектродный полупроводниковый прибор. Схема и структура полевого транзистора. Полевой транзистор со встроенным каналом. Полевой транзистор с индуцированным каналом. Напряжение отсечки. - Полевые транзисторы.pptx

Эмиттеры

Слайдов: 26   Слов: 1969   Звуков: 0   Эффектов: 0

Автоэмиссионные катоды. Характеристика карбида кремния. Примеры приборов на SiC. Способ изготовления SiC катода. Схема технологического маршрута. Основные уравнения автоэмиссии. Максимальная напряженность. Результаты. Описание этапов. Напыление европия. Численные значения ВАХ. Основные конструктивные элементы. - Эмиттеры.ppt