Дефекты |
|
Состояние вещества
Скачать презентацию |
||
| << Типы кристаллических решеток | Газы >> |
Картинки из презентации «Дефекты» к уроку химии на тему «Состояние вещества»
Автор: Петров А. Н.. Чтобы познакомиться с картинкой полного размера, нажмите на её эскиз. Чтобы можно было использовать все картинки для урока химии, скачайте бесплатно презентацию «Дефекты.ppt» со всеми картинками в zip-архиве размером 4173 КБ.
Скачать презентациюДефекты
содержание презентации «Дефекты.ppt»| Сл | Текст | Сл | Текст |
| 1 | Лекция 1. Курс: Химия дефектов. структура и свойства твердых | 46 | поля, запишется в виде. Химические реакции. Диффузия. |
| тел. | Электропроводность. Электрический ток Je. Теплопроводность. | ||
| 2 | 1.1.1. Энергетическое обоснование различных агрегатных | Поток энергии Ju. | |
| состояний вещества. Курс: Химия дефектов. структура и свойства | 47 | 3.1.2. Принципы линейности и взаимности потоков. Принцип | |
| твердых тел. Ионные кристаллы обладают преимущественно ионной | линейности. Сущность данного принципа состоит в утверждении, что | ||
| химической связью. Рис.1. Энергетическое состояние системы двух | не очень далеко от состояния термодинамического равновесия | ||
| взаимодействующих частиц. | скорость необратимого процесса (поток) пропорциональна | ||
| 3 | 1.2. Зонный характер энергетического спектра электронов в | действующей силе. (Онзагер 1931 г.). Принцип взаимности. | |
| твердых телах. Курс: Химия дефектов. структура и свойства | Возникающие в неравновесной системе потоки влияют друг на друга. | ||
| твердых тел. Рис.1. 3. Схема образования энергетических зон в | Другими словами потоки взаимны. . (Онзагер 1931 г.). Курс: Химия | ||
| кристаллах: а) - в изолированном атом; а) энергетические уровни | дефектов. структура и свойства твердых тел. И так, производство | ||
| в изолированном атоме; б) расположние атомов в одномерном ряду; | энтропии на единицу объема может быть записано в виде. Скорость | ||
| в) потенциальное поле в одномерном ряду; г) расположение | любого процесса (теплопроводности, диффузии, электропроводности | ||
| энергетических зон. Рис.1.4. Возможны случаи зонной структуры | и др.) определяется как плотность потока (Ji) вещества, энергии, | ||
| твердых тел: а - металл, состоящий из одновалентных атомов; б - | количества электричества и др., протекающего за единицу времени | ||
| металл, состоящий из двухвалентных атомов: в - металл с малым | через единицу поверхности, перпендикулярной потоку. | ||
| перекрытием валентных зон с зоной проводимости (полумталл): г - | 48 | 3.1.2. Принципы линейности и взаимности потоков | |
| полупроводник (kT??E1): д - диэлектрик (kT<<?E1): е- | (продолжение). Курс: Химия дефектов. структура и свойства | ||
| тврдое тело с нулевым значением запрещенной зоны (бесщелевой | твердых тел. Опыт показывает, что, при наложении какого-нибудь | ||
| полупроводник). | градиента на систему одновременно возникают потоки тепла, массы | ||
| 4 | Лекция 2. Курс: Химия дефектов. структура и свойства твердых | и электричества Т.н. «перекрестные» явления широко используются | |
| тел. | в технике. Принцип взаимности потоков согласно Онзагеру | ||
| 5 | Элементы симметрии. Курс: Химия дефектов. структура и | выражается аналитической системой уравнений. | |
| свойства твердых тел. | 49 | 3.1.2. Принципы линейности и взаимности потоков | |
| 6 | Трансляционная симметрия. Решетки Бравэ. Курс: Химия | (продолжение). Кинетические коэффициенты обладают свойством | |
| дефектов. структура и свойства твердых тел. | взаимности. Курс: Химия дефектов. структура и свойства твердых | ||
| 7 | Решетки Бравэ. (продолжение). Курс: Химия дефектов. | тел. В условиях, когда справедливы линейные феноменологические | |
| структура и свойства твердых тел. | соотношения (10, 11), производство энтропии (9) принимает | ||
| 8 | Решетки Бравэ. (продолжение). Курс: Химия дефектов. | квадратичную форму: Входящие в выражение (15) потоки, в | |
| структура и свойства твердых тел. Рис.3. Произвольный выбор | соответствии с принципами линейности и взаимности, и ур. (14) | ||
| элементарной ячейки в объмоцентрированной решетке. Рис.2. | будут. | ||
| Гранецентрированная тетрагональная ячейка сводится к | 50 | Лекция 12. Курс: Химия дефектов. структура и свойства | |
| объемоцентрированной в 2 раза меньше по объему. | твердых тел. | ||
| Рис.1.Базоцентрированная тетрагональная ячейка сводится к | 51 | 3.2. Феноменологические соотношения для потоков массы, | |
| примитивной в 2 раза меньшей по объему. | заряда и тепла. 3.2.1. Перенос нейтральных частиц в химическом | ||
| 9 | Лекция 3. Курс: Химия дефектов. структура и свойства твердых | поле. Для одномерной задачи имеем. Курс: Химия дефектов. | |
| тел. | структура и свойства твердых тел. Простейший случай - перенос | ||
| 10 | Структуры некоторых классов неорганических соединений. Курс: | нейтральной частицы А происходит за счет действия градиента | |
| Химия дефектов. структура и свойства твердых тел. | химического потенциала. Кинетический коэффициент переноса | ||
| 11 | Структуры неорганических соединений (продолжение). Курс: | нейтральной частицы А в градиенте химического потенциала можно | |
| Химия дефектов. структура и свойства твердых тел. | выразить через линейную скорость vA и абсолютную подвижность uA. | ||
| 12 | Структуры неорганических соединений (продолжение). Курс: | 52 | 3.2.1. Перенос нейтральных частиц в химическом поле |
| Химия дефектов. структура и свойства твердых тел. | (продолжение). N - число перескоков за время t, s – длина | ||
| 13 | Лекция 4. Курс: Химия дефектов. структура и свойства твердых | одинарного перескока. ? - Частота перескоков. Курс: Химия | |
| тел. | дефектов. структура и свойства твердых тел. Курс: Химия | ||
| 14 | Точечные дефекты кристаллической структуры. Курс: Химия | дефектов. структура и свойства твердых тел. Согласно теории | |
| дефектов. структура и свойства твердых тел. Рис.1. Образование | случайных перескоков частицы в направлении х поток определяется. | ||
| вакансий в атомном кристалле: Рис.2. Образование междлузельного | 53 | 3.2.2. Перенос заряда в электрическом поле. | |
| дефекта в атомном кристалле: | Электропроводность. Курс: Химия дефектов. структура и свойства | ||
| 15 | Точечные дефекты кристаллической структуры. Рис.3. Точечные | твердых тел. Заряженные частицы движутся под действием внешнего | |
| дефекты в кристалле АВ по Шоттки. Рис.3. Точечные дефекты в | электрического поля, но их перемещение не связано с переносом | ||
| кристалле АВ по Френкелю. Курс: Химия дефектов. структура и | массы (например перенос электронных дефектов). С учетом ур.(10) | ||
| свойства твердых тел. | получаем еще один вид уравнения Нернста-Эйнштейна. | ||
| 16 | Точечные дефекты кристаллической структуры. Рис.5. Примесные | 54 | 3.2.3. Совместный перенос тепла и заряда. Термоэлектрические |
| дефекты замещения. Рис.6. Примесные дефекты внедрения. Курс: | явления. Для одномерной системы. Закон Ома je=?Е. Курс: Химия | ||
| Химия дефектов. структура и свойства твердых тел. | дефектов. структура и свойства твердых тел. Курс: Химия | ||
| 17 | Линейные дефекты кристаллической структуры. Курс: Химия | дефектов. структура и свойства твердых тел. Производство | |
| дефектов. структура и свойства твердых тел. | энтропии в единице объема. | ||
| 18 | Лекция 5. Курс: Химия дефектов. структура и свойства твердых | 55 | Лекция 13. Курс: Химия дефектов. структура и свойства |
| тел. | твердых тел. | ||
| 19 | Сумма по состояниям дефектного кристалла. Курс: Химия | 56 | 3.2.4. Совместный перенос массы и заряда. Электрохимический |
| дефектов. структура и свойства твердых тел. Металлический | перенос. Здесь ?i=?i+zie? - электрохимический потенциал. Потоки | ||
| кристалл М разупорядоченный по вакансионному типу | массы (J1) и зарядов (J2) взаимны. Ранее были получены | ||
| ([MM]>>[VM]). Общее число позиций, по которым возможно | соотношения: Отсюда уравнение для потока можно выразить в | ||
| распределение [VM] дефектов в таком кристалле обозначим N = | различных физических величинах (коэффициента диффузии, удельной | ||
| [MM]+[VM]. Энергия, пошедшая на образования всех дефектов в | электропроводности и подвижности). Курс: Химия дефектов. | ||
| кристалле ?i[VM]= Еv. Учтем, что [MM]>>[VM] и N?[MM], | структура и свойства твердых тел. 1. Подвижная частица несет | ||
| тогда получим. | массу и заряд. 2. Частицы каждого данного сорта (катионы, | ||
| 20 | Термическое равновесие дефектного кристалла простого | анионы, электроны) движутся независимо от частиц других сортов. | |
| вещества М. Курс: Химия дефектов. структура и свойства твердых | 57 | Пример. Перенос потоков массы и заряда в дефицитном по | |
| тел. Условием термодинамического равновесия такого дефектного | кислороду оксида МО1-?. Курс: Химия дефектов. структура и | ||
| кристалла при T,V=Const является минимизация F , при T,Р=Const | свойства твердых тел. | ||
| –G . Выражение (4) при T=Const имеет такой же вид, как и | 58 | Пример. Перенос потоков массы и заряда в дефицитном по | |
| уравнение изохоры (изобары) химической реакции null=VM. | кислороду оксида МО1-?. (продолжение). Возьмём производные по | ||
| Структурные элементы кристалла рассматриваются как независимые | толщине фазы оксида. Поток вакансий кислорода, согласно условию | ||
| компонент. | электронейтральности кристалла, равен. Курс: Химия дефектов. | ||
| 21 | Термическое равновесие дефектного кристалла бинарного | структура и свойства твердых тел. | |
| соединения АВ. Разупорядоченность по Шоттки. Курс: Химия | 59 | Пример. Перенос потоков массы и заряда в дефицитном по | |
| дефектов. структура и свойства твердых тел. [АА] - число занятых | кислороду оксида МО1-?. (продолжение). Поток кислорода в | ||
| узлов в подрешетке металла; [BB] - число занятых узлов в | пересчете на 1 моль можно записать в виде. Курс: Химия дефектов. | ||
| подрешетке металлоида; [VА] - число вакансий в подрешетке | структура и свойства твердых тел. | ||
| металла; [VB] — число вакансий в подрешетке металлоида. NA - | 60 | Лекция 14. Курс: Химия дефектов. структура и свойства | |
| число узлов (занятых и свободных) в металлической подрешетке; NB | твердых тел. | ||
| - число узлов (занятых и свободных) в неметаллической подрешетке | 61 | 3.3. Диффузия в кристаллических телах. 3.3.1. Механизмы | |
| кристалла АВ. | диффузии. Диффузия по вакансиям. Диффузия по междоузлиям. | ||
| 22 | Разупорядоченность по Шоттки (продолжение). Курс: Химия | Диффузия по механизму замещения. Курс: Химия дефектов. структура | |
| дефектов. структура и свойства твердых тел. Учтем, что при | и свойства твердых тел. | ||
| температурах далеких от плавления соединения АВ, AA >> VA | 62 | 3.3.2. Хаотическая диффузия. Коэффициент хаотической | |
| , NA=AA и lnN!=NlnN–N , тогда. [VA]=[VB], тогда окончательно | диффузии. Суммарное радиальное смещение диффундирующего атома | ||
| выражение для термически равновесных концентраций дефектов | после п. перемещений (Rn) определится суммой отдельных | ||
| Шоттки запишется. Полученное выражение определяет закон действия | перескоков s1, s2,…si. Вакансионный механизм переноса. | ||
| масс для реакции образования дефектов по Шоттки null=VA+VB. | Междоузельный механизм переноса. Курс: Химия дефектов. структура | ||
| 23 | Резюме. Курс: Химия дефектов. структура и свойства твердых | и свойства твердых тел. Число перескоков вакансий определяется | |
| тел. | выражением. В общем случае коэффициент хаотической диффузии по | ||
| 24 | Лекция 6. Курс: Химия дефектов. структура и свойства твердых | вакансионному механизму будет равен. | |
| тел. | 63 | 3.3.3. Зависимость коэффициента хаотической диффузии | |
| 25 | Правила записи процессов образования и ионизации точечных | кислородных вакансий от температуры и давления кислорода. Курс: | |
| дефектов. Образование нейтральных дефектов. Ионизация дефектов. | Химия дефектов. структура и свойства твердых тел. Рассмотрим | ||
| Курс: Химия дефектов. структура и свойства твердых тел. | влияние температуры на коэффициент хаотической диффузии на | ||
| Уравнения реакций с участием точечных дефектов должны | примере переноса кислорода по вакансионному механизму в оксиде | ||
| удовлетворять трем требованиям: а) закону сохранения массы, б) | МО1-? (13). | ||
| закону сохранения заряда, в) постоянству соотношения позиций | 64 | 3.3.3. Зависимость коэффициента хаотической диффузии | |
| разных атомов в кристалле. Реакция образования дефектов по | кислородных вакансий от температуры и давления кислорода. Курс: | ||
| Шоттки в кристаллическом веществе типа АВ2. Реакция образования | Химия дефектов. структура и свойства твердых тел. | ||
| дефектов по Френкелю в кристаллическом веществе типа АВ2. | 65 | Лекция 15. Курс: Химия дефектов. структура и свойства | |
| 26 | Правила записи процессов образования и ионизации точечных | твердых тел. | |
| дефектов (продолжение). Или окончательно процесс образования | 66 | 3.3.4. Химический коэффициент диффузии. Ci – концентрация, | |
| дефектов в NaCl можно записать. Курс: Химия дефектов. структура | Пример 1. Растворение примесного атома F донорного типа в | ||
| и свойства твердых тел. Рассматриваемый подход к ионизации | твердой фазе А. Рис.1. Схема направления потоков и изменение | ||
| нейтральных атомных дефектов применим и для кристаллов с сильно | концентраций примесного дефекта и электронов в фазе А. Курс: | ||
| выраженной ионной или ковалентной химическими связями. | Химия дефектов. структура и свойства твердых тел. Vi - линейная | ||
| Образование нейтральных дефектов по Шоттки в NaCl. | скорость перемещения i-той частицы, | ||
| 27 | Правила записи процессов образования и ионизации точечных | 67 | Лекция 16. Курс: Химия дефектов. структура и свойства |
| дефектов (продолжение). Курс: Химия дефектов. структура и | твердых тел. | ||
| свойства твердых тел. | 68 | 3.3.4. Перенос вещества в химическом поле. Химический | |
| 28 | Лекция 7. Курс: Химия дефектов. структура и свойства твердых | коэффициент диффузии. Курс: Химия дефектов. структура и свойства | |
| тел. | твердых тел. Химическая диффузия - процесс вещества в химическом | ||
| 29 | Электронно-дырочное равновесие дефектов. Здесь f(x) | поле, когда имеется отличный от нуля градиент химического | |
| вероятность нахождения электрона на данном уровне. Для простоты | потенциала хотя бы одного из компонентов. Выражение (1) является | ||
| возьмем ?0=0 – нуль отсчета энергии совпадает с дном зоны | законом Фика для сопряженного переноса двух и более частиц. | ||
| проводимости. Верхний предел энергии можно продлить до | Пример 1. Растворение примесного атома F донорного типа в | ||
| бесконечности, так как с ростом энергии ? функция f(x) очень | твердой фазе А. | ||
| быстро убывает. Курс: Химия дефектов. структура и свойства | 69 | 3.3.4. Перенос вещества в химическом поле. (продолжение). | |
| твердых тел. Состояние электрона с энергией ? можно | Курс: Химия дефектов. структура и свойства твердых тел. Из | ||
| характеризовать значением его импульса. Определим число | условия стационарности Jm=Je находим градиент электрического | ||
| электронных состояний в промежутке между ? и d?. Наглядным | потенциала. С учетом (4), (5) и (6). Подставляем (7) в (3) и | ||
| образом может служить изо энергетическая поверхность, отвечающая | находим окончательно поток примесных атомов в твердую фазу А. | ||
| всем значениям ? в пространстве импульсов ?+d? Подсчитаем число | Сравним полученное выражение с ур. (1) – законом Фика. | ||
| ячеек g(?) по которым распределяются электроны (невырожденное | 70 | 3.3.4. Перенос вещества в химическом поле. (продолжение). | |
| состояние) в интервале энергий от ? до ?+d? объемом | Курс: Химия дефектов. структура и свойства твердых тел. Пример | ||
| h3=dxdydzdpxdpydpz. Общее число электронов в зоне проводимости | 2. Образование двухкомпонентного твердого раствора. Скорость | ||
| определяется из соотношения. | образования фазы твердого раствора будет определяться | ||
| 30 | Электронно-дырочное равновесие дефектов (продолжение). Курс: | соотношением. Воспользуемся уравнением Гиббса-Дюгема. | |
| Химия дефектов. структура и свойства твердых тел. Подставляем | 71 | 3.3.4. Перенос вещества в химическом поле. (продолжение). | |
| (2), (4) в (3) и получаем. Далее вынесем из под интеграла все | Курс: Химия дефектов. структура и свойства твердых тел. | ||
| величины, не зависящие от энергии, и превратим подынтегральное | Подставляем (13) в (12) и для сопряженных потоков компонентов | ||
| выражение в безразмерное. Для этого умножим и разделим его на | получаем. Перекрестные кинетические коэффициенты равны L12=L21. | ||
| (kT)3/2. Аналогичные вычисления дают число дырок в заполненной | (15). | ||
| (валентной) зоне. Концентрации электронов и дырок взаимосвязаны. | 72 | Лекция 17. Курс: Химия дефектов. структура и свойства | |
| Действительно, умножением уравнений (1) и (2) получаем. , , | твердых тел. | ||
| 31 | Электронно-дырочное равновесие дефектов (продолжение). Курс: | 73 | 3.4. Электрические свойства твердых тел. 3.4.1. |
| Химия дефектов. структура и свойства твердых тел. Полученное | Электропроводность. Плотность электрического тока. Металлическая | ||
| выражение (8) по своей сути представляет закон действия масс | проводимость. Сравниваем это выражение с законом Ома. Курс: | ||
| реакции образования электронных дефектов в твердом теле | Химия дефектов. структура и свойства твердых тел. | ||
| null=e/+h•. | 74 | 3.4.1. Электропроводность металлическая (продолжение). Выше | |
| 32 | Лекция 8. Курс: Химия дефектов. структура и свойства твердых | температуры Дебая плотность фононов изменяется как Т1 и, | |
| тел. | следовательно, ?e=bT–1. , (19). Курс: Химия дефектов. структура | ||
| 33 | Полное термическое равновесие собственных дефектов в | и свойства твердых тел. –3<r<3 является индексом | |
| полупроводниках (Ge, Si). Курс: Химия дефектов. структура и | рассеяния. Металлической проводимостью обладают некоторые оксиды | ||
| свойства твердых тел. Собственное электронное разупорядочение. | и сульфиды металлов: 3d металлов TiO, CrO2, TiS, CoS2, CuS2; 4d | ||
| Образование вакансий кремния (дефектов Шоттки). | – металлов NbO, MoO2, RuO2; 5d – металлов ReO3, AxWO3. | ||
| 34 | Полное термическое равновесие собственных дефектов в | 75 | 3.4.1. Электропроводность (продолжение). Полупроводники. |
| полупроводниках (Ge, Si) (продолжение). Курс: Химия дефектов. | Курс: Химия дефектов. структура и свойства твердых тел. Для | ||
| структура и свойства твердых тел. Метод аппроксимации условия | собственных полупроводников. Температурная зависимость | ||
| электронейтральности (м.Броуэра). | электронной проводимости определяется концентрацией и | ||
| 35 | Полное термическое равновесие собственных дефектов в | подвижностью носителей. Например, в собственной области | |
| полупроводниках (Ge, Si) (продолжение). Курс: Химия дефектов. | разупорядочения окисла с дефицитом кислорода MO1–? и | ||
| структура и свойства твердых тел. Примем, что энтальпии реакций | преобладанием двухзарядных кислородных вакансий. | ||
| соотносятся как ?H2>?H1>?H3. Результаты точного и | 76 | 3.4.1. Электропроводность. Полупроводники (продолжение). | |
| упрошенного (с использованием аппроксимации) решений | Курс: Химия дефектов. структура и свойства твердых тел. В | ||
| представлены на рисунке 2.14. | кристаллах многих полярных неорганических соединений (например, | ||
| 36 | Лекция 9. Курс: Химия дефектов. структура и свойства твердых | окислов переходных металлов) электроны и дырки могут быть | |
| тел. | локализованы. Электрон вместе с поляризующим полем можно | ||
| 37 | Влияние газовой фазы на равновесия дефектов твердых тел. | рассматривать как некоторую квазичастицу, которую обычно | |
| АВ1??(тв)=В2(газ). Курс: Химия дефектов. структура и свойства | называют поляроном.малого радиуса. | ||
| твердых тел. Проанализируем влияние давления компонента в | 77 | 3.4.1. Электропроводность. Полупроводники (продолжение). | |
| газовой фазе на процессы дефектообразования в кристалле на | Курс: Химия дефектов. структура и свойства твердых тел. В | ||
| примере оксида МО1??, находящегося при Т=Const в равновесии с | изотермических условиях, при изменении парциального давления | ||
| газовой фазой, содержащей кислород. | кислорода в газовой фазе электропроводность оксида MO1–? | ||
| 38 | Влияние газовой фазы на равновесия дефектов твердых тел | изменяется симбатно концентрациям доминирующих заряженных | |
| (продолжение). II. Средняя область рО2. Курс: Химия дефектов. | дефектов. | ||
| структура и свойства твердых тел. | 78 | Лекция 18. Курс: Химия дефектов. структура и свойства | |
| 39 | Влияние газовой фазы на равновесия дефектов твердых тел | твердых тел. | |
| (продолжение). Курс: Химия дефектов. структура и свойства | 79 | 3.4.1. Электропроводность. Твердые ионные проводники. Курс: | |
| твердых тел. Изотермическая диаграмма концентраций дефектов в | Химия дефектов. структура и свойства твердых тел. Рассмотрим в | ||
| оксиде МО1?? | качестве примера галогенид серебра AgCl или AgBr, в котором | ||
| 40 | Влияние газовой фазы на равновесия дефектов твердых тел | разупорядоченность по Френкелю приводят к ионной | |
| (продолжение). Изотермическая диаграмма концентраций дефектов в | электропроводности. | ||
| оксиде МО1?? Курс: Химия дефектов. структура и свойства твердых | 80 | 3.4.1. Электропроводность. Твердые ионные проводники. Курс: | |
| тел. | Химия дефектов. структура и свойства твердых тел. Рассмотрим | ||
| 41 | Лекция 10. Курс: Химия дефектов. структура и свойства | детальнее влияние примеси CdCl2 или CdB2. | |
| твердых тел. | 81 | 3.4.1. Твердые ионные проводники. (продолжение). Курс: Химия | |
| 42 | Влияние примесей на равновесие дефектов. Рассмотрим влияние | дефектов. структура и свойства твердых тел. | |
| примеси на дефектную природу соединения на примере оксида МО, в | 82 | 3.4.2. Числа переноса. Электронный ток. Курс: Химия | |
| который внедрено некоторое иколичество примеси в виде оксида | дефектов. структура и свойства твердых тел. Здесь ??=??+е?? – | ||
| М2О3. Курс: Химия дефектов. структура и свойства твердых тел. | градиент электрохимического потенциала. Если положить, что ток | ||
| Недопированный матричный оксид МО при некоторой (Т=Const) имеет | не нарушает термодинамического равновесия (п?р=К.), т. е. | ||
| собственные дефекты типа Шоттки. Растворение в МО примеси М2О3 | 83 | 3.4.2. Числа переноса (продолжение). Ионный ток. Курс: Химия | |
| происходит по типу замещения. Общее условие электронейтральности | дефектов. структура и свойства твердых тел. Считаем, что ток не | ||
| для такого примесного кристалла запишется. | нарушает термодинамического равновесия ([A+][B–]=Kion). | ||
| 43 | Влияние примесей на равновесие дефектов. Курс: Химия | 84 | 3.4.2. Числа переноса (продолжение). Ионный ток. Курс: Химия |
| дефектов. структура и свойства твердых тел. | дефектов. структура и свойства твердых тел. Если через ячейку | ||
| 44 | Лекция 11. Курс: Химия дефектов. структура и свойства | ток не протекает, то выполняется очевидное соотношение. | |
| твердых тел. | 85 | Лекция 19. Курс: Химия дефектов. структура и свойства | |
| 45 | Iii. Явления переноса в твердых телах. 3.1. Элементы | твердых тел. | |
| неравновесной термодинамики. 3.1.1. Возникновение энтропии в | 86 | 3.4.3. Термо-ЭДС. Эффект Зеебека. Курс: Химия дефектов. | |
| неравновесных системах. Курс: Химия дефектов. структура и | структура и свойства твердых тел. (5). | ||
| свойства твердых тел. | 87 | 3.4.3. Термо-ЭДС. Эффект Зеебека (продолжение). Ионные | |
| 46 | 3.1.1. Возникновение энтропии в неравновесных системах | кристаллы – твердые электролиты. Курс: Химия дефектов. структура | |
| (продолжение). Поток - скорость реакции vj. Поток - массы Jm. | и свойства твердых тел. | ||
| Курс: Химия дефектов. структура и свойства твердых тел. | 88 | 3.4.3. Термо-ЭДС. Эффект Зеебека (продолжение). Курс: Химия | |
| Рассмотрим, например, тенденцию к минимизации энергии Гиббса в | дефектов. структура и свойства твердых тел. (9). Равновесие | ||
| самопроизвольных химических процессах. В системе протекает k | будет нарушаться, если контактная разница потенциалов не равна | ||
| реакций; каждая реакция характеризуется скоростью vk химическим | нулю. | ||
| сродством Ak. Производство энтропии неравновесной системы, в | 89 | 3.4.3. Термо-ЭДС. Эффект Зеебека (продолжение). Модель | |
| которой наряду с химическими реакциями имеются градиенты | локализованных электронных дефектов. Курс: Химия дефектов. | ||
| температуры, химических потенциалов частиц и электрического | структура и свойства твердых тел. | ||
| «Дефекты твердых тел» | Дефекты.ppt | |||
http://900igr.net/kartinki/khimija/Defekty/Defekty-tverdykh-tel.html
cсылка на страницу
Состояние вещества
другие презентации о состоянии вещества
«Курс химии» - Углубленное изучение отдельных тем предмета. Получение реального опыта формирования индивидуального учебного плана. Осознанный выбор области дальнейшего обучения и будущей профессии. Предпрофильный курс. Участие в научно-практической конференции. Развитие и удовлетворение познавательного интереса, интеллектуальных и творческих способностей учащихся.
«Азотные удобрения» - Роль азота в окружающей среде. Описание условий проведения опыта. Задачи работы. Азот – важнейший элемент питания, необходимый для нормального развития растений. Объекты исследования. Распределение нитратов в разных частях овощей. Влияние кислотности почв на содержание нитратов в растениях. Изучение влияния азотсодержащих удобрений на качество продукции по содержанию нитратов.
«Строение атома» - Число электронов в атоме хлора на втором s - подуровне равняется 2. 14. Ядро атома - образование из протонов и нейтронов, находящееся в центральной части атома. Окислительно-восстановительные процессы. Содержит в себе весь положительный заряд и большую часть массы атома (>99,95%). Число электронов находящихся на одной р -орбитали не может быть больше чем 2. 16.
«Исследование материалов» - Упаковка молекул С70 в элементарной ячейке. Эксперимент для шунгита после обработки в дуге. Оптические свойства углеродных нанотрубок. Угловая точность Фотовозбуждение объектов. Минимальный угол поворота детектирующей головки: 0.002 град. Скорость сканирования. Спектр возможных процессов в нанокремнии.
«Учебники по химии» - О.С. Габриелян И.Г. Остроумов А.А. Карцова Издательство Просвещение. Напишите реакцию 1,4-присоединения к данному веществу молекулы хлороводорода и назовите образующийся продукт. (стр. 102). Химико-биологические классы МОУ «Гимназия №1». Какими электронными эффектами обладает гидроксильная группа? Как отражается на распределении электронной плотности в ароматическом кольце наличие гидроксильной группы? (стр. 179).
«ЕГЭ по химии» - Общая химия в тестах, задачах, упражнениях. 11 класс. Авторский коллектив. Учебник. Учебные пособия. Результаты экзаменов. Подготовка к ЕГЭ по химии. Регистрация. Использование курсов в учебном процессе. Методические рекомендации для учителей Рекомендации для учащихся Нормативные документы. О. С. Габриэлян, Г. Г. Лысова.
Химия
64 темы
Химия
○ Уроки химии
○ Обучение химии
○ ИКТ на уроках химии
○ Игры по химии
○ Задачи по химии
Строение атома
○ Закон Менделеева
▫ Менделеев
Химическая связь
Вещество
○ Состояние вещества
○ Смеси
○ Вода
▫ Свойства воды
○ Минералы
○ Круговорот веществ
Реакции
○ Диссоциация
○ Гидролиз
Неорганическая химия
○ Химические элементы
▫ Галогены
▫ Азот
▫ Железо
▫ Кислород
▫ Кремний
• Силикатная промышл.
▫ Сера
▫ Углерод
▫ Фосфор
○ Классы неорг. соединен.
▫ Оксиды
▫ Соли
• Поваренная соль
▫ Кислоты
• Названия кислот
- Серная кислота
○ Металлы
▫ Виды металлов
▫ Свойства металлов
▫ Коррозия
▫ Сплавы
▫ Металлургия
• Чёрная металлургия
▫ Применение металлов
○ Неметаллы
Органическая химия
○ Органические вещества
○ Углеводороды
▫ Предел. углеводороды
▫ Непред. углеводороды
▫ Источники углеводород.
○ Спирты
▫ Виды спиртов
○ Карбоновые кислоты
○ Эфиры
○ Углеводы
○ Белки
○ Полимеры
○ Нуклеиновые кислоты
Химия в жизни
○ Бытовая химия
○ Хим.промышленность
Презентация: Дефекты | Тема: Состояние вещества | Урок: Химия | Вид: Картинки