Оптические явления
<<  Оптическое решение безопасности движения Оптические иллюзии и их применение  >>
Презентация проекта на тему: «Разработка и создание ячейки памяти
Презентация проекта на тему: «Разработка и создание ячейки памяти
Предпосылки проекта
Предпосылки проекта
Предпосылки проекта
Предпосылки проекта
Цель проекта:
Цель проекта:
Достигнутые результаты: Результаты, полученные авторами проекта,
Достигнутые результаты: Результаты, полученные авторами проекта,
Наноструктурный магнитный образец с произведенной записью информации
Наноструктурный магнитный образец с произведенной записью информации
Преимущества проекта: 1. Отсутствие мирового аналога при наличии
Преимущества проекта: 1. Отсутствие мирового аналога при наличии
Реализация проекта: Технология изготовления устройств памяти может
Реализация проекта: Технология изготовления устройств памяти может
Рынок: Основные сегменты рынка, на которые претендует продукция,
Рынок: Основные сегменты рынка, на которые претендует продукция,
Рынок: 1. Рынок магнитных наноматериалов Российский рынок: 1млрд
Рынок: 1. Рынок магнитных наноматериалов Российский рынок: 1млрд
Область реализации
Область реализации
Технические достижимые параметры
Технические достижимые параметры
Технические достижимые параметры
Технические достижимые параметры
Партнеры: - ЗАО «Научно-исследовательский институт электронной
Партнеры: - ЗАО «Научно-исследовательский институт электронной
План работ
План работ
План развития проекта
План развития проекта
Финансирование
Финансирование
Команда проекта
Команда проекта
Спасибо за внимание
Спасибо за внимание

Презентация: «Разработка и создание ячейки памяти нового типа на основе оптического перемагничивания нанокластеров (Si-Me)n в наноструктурированных магнитных материалах Sin-Mem». Автор: Igor Baydurov. Файл: «Разработка и создание ячейки памяти нового типа на основе оптического перемагничивания нанокластеров (Si-Me)n в наноструктурированных магнитных материалах Sin-Mem.ppt». Размер zip-архива: 952 КБ.

Разработка и создание ячейки памяти нового типа на основе оптического перемагничивания нанокластеров (Si-Me)n в наноструктурированных магнитных материалах Sin-Mem

содержание презентации «Разработка и создание ячейки памяти нового типа на основе оптического перемагничивания нанокластеров (Si-Me)n в наноструктурированных магнитных материалах Sin-Mem.ppt»
СлайдТекст
1 Презентация проекта на тему: «Разработка и создание ячейки памяти

Презентация проекта на тему: «Разработка и создание ячейки памяти

нового типа на основе оптического перемагничивания нанокластеров (Si-Me)n в наноструктурированных магнитных материалах Sin-Mem » ООО «ПлазмоСил» Генеральный директор Лазарев Александр Петрович 394026, г. Воронеж, ул.Солнечная, д. 31А, оф. 116 Тел. 8-915-542-62-62 E-mail: lazarevap50@mail.ru

1

2 Предпосылки проекта

Предпосылки проекта

Считается, что к 2020 году произойдет переход к новым элементам памяти на основе спинтронных устройств, так называемой MRAM - magnetic random access memory, что приведет к резкому изменению компьютерных устройств. Скорость доступа к такой памяти будет в тысячи раз больше, чем у нынешних элементов flash-памяти, ресурс перезаписи – в сто тысяч раз больше. В спинтронном устройстве для передачи информации используются магнитные свойства электронов, необходима разработка ферромагнитных полупроводников, электрофизическими свойствами которых можно управлять электрическими и магнитными полями, оптическим воздействием. Существующую проблему увеличения объема и скорости переключения памяти при одновременной миниатюризации элементов связывают с необходимостью разработки материалов и методов записи/считывания информации.

2

3 Предпосылки проекта

Предпосылки проекта

В настоящем проекте решают фундаментальные и технологические задачи по созданию нового типа материалов - наноструктурированных систем на основе силицидов переходных металлов Sin-Mem, пригодных для полностью оптического перемагничивания, для промышленной технология получения таких материалов и создания ячейка памяти нового типа на основе оптического перемагничивания нанокластеров (Si-Me)n в магнитных наноструктурированных силицидах переходных металлов Sin-Mem. Полученные наноструктуры технологически полностью интегрируемы с современными кремниевыми технологиями, что является и очень выгодным экономическим фактором.

3

4 Цель проекта:

Цель проекта:

Технология получения магнитных наноструктур на основе силицидов переходных металлов на кремнии Men-Sim-Si, предназначенных для элементов сверхплотной памяти нового поколения на основе оптического перемагничивания нанокластеров (Si-Me)n с помощью эффектов ближнего поля. Разработка технологии изготовления и опытной конструкции интегрального энергонезависимого устройства памяти с полностью оптическим считыванием/записью информации, совместимой с кремниевыми технологими и ориентированной на серийное производство, на основе магнитных наноструктурированных материалов Men-Sim-Si.

Создание производства магнитных наноструктурированных материалов с эффектом оптического перемагничивания

5 Достигнутые результаты: Результаты, полученные авторами проекта,

Достигнутые результаты: Результаты, полученные авторами проекта,

показывают перспективность применения новых материалов - наноструктурированных магнитных систем на основе силицидов переходных металлов - для разработки на их основе устройств памяти. Одним из основных преимуществ данных устройств должно стать сверхвысокое быстродействие, которое обеспечивается новым способом записи, еще не используемым в серийных устройствах, - полностью оптическим перемагничиванием циркулярно- поляризованным светом. Экспериментально полученные в ряде работ значения времени переключения - порядка десятков фемтосекунд – существенно превосходят по быстродействию все существующие способы записи информации. В сочетании с использованием ближнепольного взаимодействия, позволяющего уменьшить область воздействия оптического излучения до десятков нанометров, можно добиться от устройств с полностью оптической записью информации не только сверхвысокого быстродействия, но и сверхвысокой плотности записи информации.

5

Создание производства магнитных наноструктурированных материалов с эффектом оптического перемагничивания

6 Наноструктурный магнитный образец с произведенной записью информации

Наноструктурный магнитный образец с произведенной записью информации

оптическим путем

Подтверждено патентом.

Топография поверхности (а) и распределение намагниченности (б) в системе Ni-Si после записи изображения буквы «V» циркулярно-поляризованным светом

6

7 Преимущества проекта: 1. Отсутствие мирового аналога при наличии

Преимущества проекта: 1. Отсутствие мирового аналога при наличии

спроса на такие материалы. 2. Низкая энергопотребляемость при производстве (изготовлении) и использовании. 3. Низкая себестоимость по сравнению с рыночной. 4. Свехвысокое быстродействие. (Время переключения ?10-15 с (фемтосекунды) 5. Сверхплотная запись (область оптического воздействия (перемагничивания) составляет десятки нанометров (10-9м ) ?50 нм). 6. Совместимость с современной кремниевой технологией (микроэлектоника, наноэлектроника). 7. Безмасочная обработка пластин кремния (Si )(отсутствие нанолитографических процессов.

7

Создание производства магнитных наноструктурированных материалов с эффектом оптического перемагничивания

8 Реализация проекта: Технология изготовления устройств памяти может

Реализация проекта: Технология изготовления устройств памяти может

быть максимально ориентирована на применение стандартного технологического оборудования КМОП- процесса, поэтому мелкосерийное производство опытной партии может быть организовано на предприятиях г.Воронежа (ОАО "Научно-исследовательский институт электронной техники", ОАО "Воронежский Завод Полупроводниковых Приборов-Сборка") без дополнительной закупки промышленного оборудования. По результатам выполнения работы можно выделить следующие три основных вида конкурентоспособной продукции: -наноструктурированные магнитные материалы, пригодные для полностью оптического перемагничивания циркулярно- поляризованным светом; -установка локализованного газового разряда для безлитографических процессов формирования наноструктур и безмасочного локального травления; -новый тип сверхбыстрых энергонезависимых запоминающих устройств с полностью оптическим перемагничиванием.

8

Создание производства магнитных наноструктурированных материалов с эффектом оптического перемагничивания.

9 Рынок: Основные сегменты рынка, на которые претендует продукция,

Рынок: Основные сегменты рынка, на которые претендует продукция,

которая может быть создана с использованием результатов, полученных в ходе выполнения настоящей работы: 1)Рынок запоминающих устройств типа flash-памяти. 2)Рынок твердотельных жестких магнитных дисков. 3)Рынок оборудования для изготовления наноструктурированных материалов и изготовления устройств микросистемной техники. 4)Рынок магнитных наноматериалов. Рынок устройств памяти Мировой объем рынка flash-памяти в 2008 г. ориентировочно составлял 15 млрд. долл. К 2011 г. Рынок достиг объема 25 млрд.долл. В 2012 г. произошло некоторое снижение объема рынка до 24 млрд.долл., однако по прогнозам iSuppli с 2013 года рост рынка должен возобновиться. Объем российского рынка flash-памяти составляет ~ 300 млн. долл. В целом, рынок flash-памяти является довольно устойчивым, на протяжении длительного времени на нем лидируют 4 основных производителя: фирмы Samsung, Toshiba, Micron, Hynix. Доля остальных производителей крайне незначительна - в течение длительного времени она не превышает 1%. Рынок памяти DRAM имеет объем, сопоставимый с объемом рынка flash-памяти. Наиболее объемные сегменты рынка DRAM-памяти - DDR-память и память для мобильных устройств, прежде всего, смартфонов. Один из наиболее динамичных рынков-потребителей DRAM-памяти - рынок смартфонов – является потребителем памяти с плотностью записи ~ 8 Гб/чип. В 2013 году отмечается рост доли памяти с плотностью 16 Гбит/чип примерно до 15%. На рынке DDR-памяти прогнозируемая средняя плотность памяти достигнет 8 Гб/чип к 2015 г. Таким образом, к моменту выхода на рынок (в 2016-2017 гг) планируемая плотность записи 32 Гбит/чип должна соответствовать мировому уровню или превышать его.

9

Создание производства магнитных наноструктурированных материалов с эффектом оптического перемагничивания

10 Рынок: 1. Рынок магнитных наноматериалов Российский рынок: 1млрд

Рынок: 1. Рынок магнитных наноматериалов Российский рынок: 1млрд

рублей; Наша доля: от 10 до 20% Потребители: Зеленоград (есть договоренность); Екатеринбург (есть договоренность); Красноярск (есть договоренность); ВУЗЫ, осуществляющие подготовку по направлениям 020300 «Химия, физика и механика материалов», 200700 «Фотоника и оптоинформатика» 022200 «Наносистемы и наноматериалы», 152100 «Наноматериалы», 210100 «Электроника и наноэлектроника», 222900 «Нанотехнологии и микросистемная техника» (более 80 ВУЗов в РФ; Мировой рынок: 1 млрд. долларов Наша доля: до 1% 2. Рынок запоминающих устройств Российский рынок – 300 млн.долларов (?10млрд. Рублей): Наша доля: ?до 10-15%. Мировой рынок – 25 млрд.долларов. Наша доля – 0,5% Потребители: Зеленоград, Ecol Centrale Lille, ZEMN-Lille, France (институт электроники, микроэлектроники и нанотехнологий, Франция, Лилль) Конкуренты: Sumsung, Toshiba, Micron, Hynix, Departament of Phisics and Research Center OPTIMAS University of Kaiserslautern.

10

Создание производства магнитных наноструктурированных материалов с эффектом оптического перемагничивания

11 Область реализации

Область реализации

внешние устройства памяти (конкуренты DVD и Blu-Ray устройств, жесткие магнитные диски); монолитные устройства с использованием интегральной оптики и терхмерной интеграции, конкурирующие с современными устройствами оперативной и flash-памяти; кремниевая фотоника: интегральное устройство на кремниевой пластине, совместимое с КМОП-технологией для внешних накопителей (замена современных накопителей), оперативной памяти, кэш-памяти процессоров, оптоэлектронного процессора.

11

Создание производства магнитных наноструктурированных материалов с эффектом оптического перемагничивания

12 Технические достижимые параметры

Технические достижимые параметры

диаметр магнитной пленки на кремниевой подложке не менее 20 мм; размер магнитных нанокластеров магнитной пленки на кремниевой подложке не более 50 нм; температура Кюри магнитных наноструктур не ниже 300 К; оптический зонд должен быть выполнен на основе оптических волокон с металломагнитным покрытием с острием наконечника не более 25-30 нм с аппертурой около 50нм.; оптимальная стоимость записи информации определяется по окончанию проекта и должна быть в разы меньше современной рыночной цены.

12

Создание производства магнитных наноструктурированных материалов с эффектом оптического перемагничивания

13 Технические достижимые параметры

Технические достижимые параметры

Проверка возможности использования образцов для сверхплотной записи/считывания информации будет производиться двумя методами: на основе полностью оптической записи информации циркулярно-поляризованным светом и на основе взаимодействия с зондом магнитно-силового микроскопа. Первый метод записи позволяет проверить применимость материала для сверхбыстрой записи/перезаписи информации, а второй – применимость для сверхплотной записи информации.

13

Создание производства магнитных наноструктурированных материалов с эффектом оптического перемагничивания

14 Партнеры: - ЗАО «Научно-исследовательский институт электронной

Партнеры: - ЗАО «Научно-исследовательский институт электронной

техники» (НИИЭТ), г. Воронеж – осуществление плазмохимического травления (магнетронного распыления) образцов; - ОАО «Воронежский завод полупроводниковых приборов – Сборка» (ВЗПП-С), г.Воронеж – корпусирование образцов; - ЗАО «НТ-МДТ», г. Зеленоград – поставка оптических зондов для оптической записи информации, кантилеверов для контроля качества образцов с помощью атомно-силовой микроскопии (АСМ); - ВГУ, МИРЭА – приборы атомно-силовой микроскопии (АСМ) для контроля качества образцов.

14

Создание производства магнитных наноструктурированных материалов с эффектом оптического перемагничивания

15 План работ

План работ

Разработка промышленных технологий изготовления наноструктурированных магнитных силицидов переходных металлов Sin-Mem на кремниевой подложке с возможностью оптического перемагничивания нанокластеров (Si-Me)m; Разработка оптического зонда для оптического перемагничивания нанокластеров (Si-Me)m при ближнепольном воздействии в наноструктурированных магнитных силицидов переходных металлов Sin-Mem на кремниевой подложке; Разработка технологической карты изготовления ячейки памяти нового типа, основанной на оптическом перемагничивании нанокластеров (Si-Me)m при ближнепольном воздействии в наноструктурированных магнитных силицидов переходных металлов Sin-Mem на кремниевой подложке. Подробный план работ изложен в документе Описание проекта ячейки памяти.doc

15

Создание производства магнитных наноструктурированных материалов с эффектом оптического перемагничивания

16 План развития проекта

План развития проекта

Текущая стадия: завершение НИОКР, изготовление лабораторных образцов, патентование. Ключевые точки проекта: IV кв. 2017 г. – завершение НИОКР, I-II кв. 2018 г. - производство, запуск продаж I кв. 2019 г. – точка окупаемости II кв. 2019 г. - рост бизнеса, выход на европейский рынок

16

Создание производства магнитных наноструктурированных материалов с эффектом оптического перемагничивания

17 Финансирование

Финансирование

Требуемые инвестиции для достижения ключевых точек проекта: 90 млн. руб. за 3 года - средства фонда Софинансирование: 36 млн. руб. за 3 года – собственные средства и средства партнеров. Софинансирование проекта будет предназначено для доработки результатов НИОКР для внедрения в производство; Текущие и потенциальные инвесторы: ООО «Росбиоквант», ООО «Арго», учредители ООО «ПлазмоСил», ОАО «ВЗПП-С», ОАО «Кристина», Technological Center Lurederra (Испания); Инвестиционное предложение: доля бизнеса Прямая отдача – с момента окупаемости в I кв. 2019 г.

17

Создание производства магнитных наноструктурированных материалов с эффектом оптического перемагничивания

18 Команда проекта

Команда проекта

Руководитель проекта: Сигов Александр Сергеевич – академик РАН, профессор, автор 350 научных публикаций, Президент МИРЭА (г.Москва). Ответственный исполнитель проекта: Лазарев Александр Петрович – кандидат физ.-мат.наук, автор более 120 научных публикаций, 6 патентов РФ, руководитель двух госудратсвенных контрактов по ФЦП. «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технического комплекса на 2007-2013 годы», имеет большой опыт организации и внедрения инновационной продукции. Даринский Борис Михайлович – доктор физ.-мат.наук, профессор, автор более 250 научных работ. Битюцкая Лариса Александровна – кандидат химических наук, автор более 200 научных публикаций, 10 патентов РФ, является одним из ведущих ученых в РФ в области нанотехнологий, материаловедения. Куцелык Татьяна Валентиновна – молодой специалист, автор 2 научных публикаций, научный сотрудник. Пахомов Алексей Юрьевич – канд.физ.-мат. наук, автор 10 научных публикаций. Даринский Александр Борисович - канд.физ.-мат. наук, автор 8 научных публикаций. Тучин Андрей Витальевич – аспирант, автор 8 научных публикаций. Глушков Григорий Иванович – магистр, автор 2 научных публикаций

18

Создание производства магнитных наноструктурированных материалов с эффектом оптического перемагничивания

19 Спасибо за внимание

Спасибо за внимание

19

«Разработка и создание ячейки памяти нового типа на основе оптического перемагничивания нанокластеров (Si-Me)n в наноструктурированных магнитных материалах Sin-Mem»
http://900igr.net/prezentacija/fizika/razrabotka-i-sozdanie-jachejki-pamjati-novogo-tipa-na-osnove-opticheskogo-peremagnichivanija-nanoklasterov-si-men-v-nanostrukturirovannykh-magnitnykh-materialakh-sin-mem-236544.html
cсылка на страницу

Оптические явления

11 презентаций об оптических явлениях
Урок

Физика

134 темы
Слайды
900igr.net > Презентации по физике > Оптические явления > Разработка и создание ячейки памяти нового типа на основе оптического перемагничивания нанокластеров (Si-Me)n в наноструктурированных магнитных материалах Sin-Mem