Перспективная начальная школа
<<  История, методология и перспективные направления развития электроники История, методология и перспективные направления развития электроники  >>
История, методология и перспективные направления развития электроники
История, методология и перспективные направления развития электроники
Занятие 3
Занятие 3
Связь ОАО «ОКБ «Планета» с ОАО «Концерн РТИ Системы»
Связь ОАО «ОКБ «Планета» с ОАО «Концерн РТИ Системы»
ОАО «Концерн РТИ Системы»
ОАО «Концерн РТИ Системы»
ОАО «ОКБ «Планета»
ОАО «ОКБ «Планета»
Радиостроение и ракетная техника
Радиостроение и ракетная техника
Статья о продукции ОАО «ОКБ Планета» (К и Т,№10,2006г
Статья о продукции ОАО «ОКБ Планета» (К и Т,№10,2006г
Новая продукция ОАО «ОКБ Планета»
Новая продукция ОАО «ОКБ Планета»
МШУ для диапазона 23 см
МШУ для диапазона 23 см
Характеристики МШУ
Характеристики МШУ
Приёмо-передающий модуль АФАР
Приёмо-передающий модуль АФАР
Активная фазированная антенная решётка
Активная фазированная антенная решётка
АФАР "Жук-АЭ" для истребителя МиГ-35
АФАР "Жук-АЭ" для истребителя МиГ-35
Фазированная антенная решетка
Фазированная антенная решетка
Лабораторный макет антенны с электронным сканированием (ЛЭТИ,
Лабораторный макет антенны с электронным сканированием (ЛЭТИ,
Схема фазированной антенной решетки
Схема фазированной антенной решетки
Схема дискретного фазовращателя, использующего принцип коммутируемых
Схема дискретного фазовращателя, использующего принцип коммутируемых
Новая продукция ОАО «ОКБ Планета»
Новая продукция ОАО «ОКБ Планета»
Квадратурный модулятор
Квадратурный модулятор
Схемы квадратурного демодулятора с фазовращателем и без фазовращателя
Схемы квадратурного демодулятора с фазовращателем и без фазовращателя
Описание работы квадратурного модулятора
Описание работы квадратурного модулятора
Актюаторные компоненты микросистемной техники (МСТ)
Актюаторные компоненты микросистемной техники (МСТ)
К определению МЭМС и МОЭМС
К определению МЭМС и МОЭМС
Актюаторные компоненты МСТ
Актюаторные компоненты МСТ
Изделия на основе микросистемной техники (МСТ)
Изделия на основе микросистемной техники (МСТ)
Высокочастотные статические реле РНА11
Высокочастотные статические реле РНА11
Условное обозначение реле РНА11 (исполнение ИДЯУ
Условное обозначение реле РНА11 (исполнение ИДЯУ
Высокочастотные статические реле РНА12, РНА12В
Высокочастотные статические реле РНА12, РНА12В
Габаритный чертеж и схема электрическая принципиальная реле РНА12
Габаритный чертеж и схема электрическая принципиальная реле РНА12
Интегральные микромеханические реле
Интегральные микромеханические реле
Структура интегрального микромеханического реле: 1 –подложка; 2 –
Структура интегрального микромеханического реле: 1 –подложка; 2 –
Конструкция ММК
Конструкция ММК
Миниатюрное ВЧ реле на основе МЭМС технологий РМА 1
Миниатюрное ВЧ реле на основе МЭМС технологий РМА 1
Условные обозначения реле при нормальном и инверсном режимах работы:
Условные обозначения реле при нормальном и инверсном режимах работы:
Гистерезис в ММК
Гистерезис в ММК
Зависимость изменения зазора от приложенного напряжения (при толщине
Зависимость изменения зазора от приложенного напряжения (при толщине
Проблема залипания в ММК
Проблема залипания в ММК
Новый способ электронной литографии
Новый способ электронной литографии
Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники : курс
Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники : курс
Новый способ электронной литографии
Новый способ электронной литографии
Схема установки для SPEL
Схема установки для SPEL
3D моделирование поведения электронов с помощью метода Монте-Карло
3D моделирование поведения электронов с помощью метода Монте-Карло
Зависимость получаемого разрешения от Z
Зависимость получаемого разрешения от Z
Наноструктуры, полученные метом SPEL
Наноструктуры, полученные метом SPEL
Учебное задание
Учебное задание
Список литературы
Список литературы
Список литературы (продолжение)
Список литературы (продолжение)
Спасибо за внимание
Спасибо за внимание

Презентация на тему: «Антенные решетки без регистрации». Автор: Vladimir Isaev. Файл: «Антенные решетки без регистрации.ppt». Размер zip-архива: 2778 КБ.

Антенные решетки без регистрации

содержание презентации «Антенные решетки без регистрации.ppt»
СлайдТекст
1 История, методология и перспективные направления развития электроники

История, методология и перспективные направления развития электроники

Дисциплина для магистерской подготовки по направлению 11.04.04 (11.04.01) Автор: Исаев Владимир Александрович, к.т.н., профессор Великий Новгород, 2014

2 Занятие 3

Занятие 3

Связь ОАО «ОКБ «Планета» с ОАО «Концерн РТИ Системы» Продукция ОАО «ОКБ «Планета» Актюаторные компоненты МСТ (Интегральные микромеханические ключи, ……) Новый способ электронной литографии

3 Связь ОАО «ОКБ «Планета» с ОАО «Концерн РТИ Системы»

Связь ОАО «ОКБ «Планета» с ОАО «Концерн РТИ Системы»

4 ОАО «Концерн РТИ Системы»

ОАО «Концерн РТИ Системы»

Открытое Акционерное Общество «Концерн «Радиотехнические и Информационные Системы» имеет отраслевую специализацию: радиостроение и ракетная техника, комплексные системы связи и безопасности, приводная техника. В области загоризонтной радиолокации Концерн является одним из мировых лидеров.

5 ОАО «ОКБ «Планета»

ОАО «ОКБ «Планета»

Основными видами деятельности предприятия являются научно-исследовательские, опытно-конструкторские, инжиниринговые разработки и производство: изделий электронной техники (полупроводниковых приборов) гибридных интегральных структур (терморезисторов, датчиков давления, гибридных микросхем) СВЧ радиотехнических изделий (модулей, узлов, блоков) электротехнических изделий (систем электронного зажигания и систем электронного розжига)

6 Радиостроение и ракетная техника

Радиостроение и ракетная техника

Загоризонтные радиолокационные станции контроля воздушного пространства и надводной обстановки. Радиолокационные средства предупреждения о ракетном нападении и комплексы противоракетной обороны. Радиолокационные станции дальнего обнаружения и контроля систем управления воздушным движением, а также радиоэлектронне модули для них.

7 Статья о продукции ОАО «ОКБ Планета» (К и Т,№10,2006г

Статья о продукции ОАО «ОКБ Планета» (К и Т,№10,2006г

Компоненты и технологии» представляют собой издание в котором есть темы: DSP (цифровые сигнальные процессоры) и цифровая обработка сигналов, беспроводные технологии (ZigBee, Bluetooth, беспроводные USB, GSM, GPRS, Wi-Fi, Wi-MAX), специализированные микросхемы, измерительные приборы и испытательное оборудование и многое другое.

8 Новая продукция ОАО «ОКБ Планета»

Новая продукция ОАО «ОКБ Планета»

9 МШУ для диапазона 23 см

МШУ для диапазона 23 см

10 Характеристики МШУ

Характеристики МШУ

11 Приёмо-передающий модуль АФАР

Приёмо-передающий модуль АФАР

12 Активная фазированная антенная решётка

Активная фазированная антенная решётка

Активная фазированная антенная решётка (АФАР) — разновидность фазированой антенной решетки (ФАР). В активной фазированной антенной решетке, каждый элемент решетки или группа элементов имеют свой собственный миниатюрный микроволновый передатчик, обходясь без одной большой трубки передатчика, применяемой в радарах с пассивной фазированной решеткой. В активной фазированной решетке, каждый элемент состоит из модуля, который содержит щель антенны, фазовращатель, передатчик, и часто также приёмник.

13 АФАР "Жук-АЭ" для истребителя МиГ-35

АФАР "Жук-АЭ" для истребителя МиГ-35

14 Фазированная антенная решетка

Фазированная антенная решетка

Вендик О.Г. Фазированная антенная решетка – глаза радиотехнической системы // Соросовский образовательный журнал. -1997. - №2. - С. 115-120.

15 Лабораторный макет антенны с электронным сканированием (ЛЭТИ,

Лабораторный макет антенны с электронным сканированием (ЛЭТИ,

1954-1955 гг.)

16 Схема фазированной антенной решетки

Схема фазированной антенной решетки

17 Схема дискретного фазовращателя, использующего принцип коммутируемых

Схема дискретного фазовращателя, использующего принцип коммутируемых

линий

18 Новая продукция ОАО «ОКБ Планета»

Новая продукция ОАО «ОКБ Планета»

19 Квадратурный модулятор

Квадратурный модулятор

В комплексной огибающей содержится вся необходимая информация для декодирования из сигнала информационной составляющей – амплитудные и фазовые характеристики сигнала. Комплексная огибающая полосового радиосигнала представляет собой пару относительно низкочастотных сигналов, удобных для оцифровки (без нарушения условий теоремы Котельникова). Для выделения из сигнала комплексной огибающей используется процедура гетеродинирования. Суть ее заключается в следующем. Входной радиосигнал s(t)=A(t)cos[?0t+?(t)], где A(t) – амплитудная огибающая, ?(t) – фазовая функция, умножается на колебания двух генераторов (гетеродинов) с частотой ?0, сдвинутых друг относительно друга на угол ?/2 – cos(?0t) и минус sin(?0t).

20 Схемы квадратурного демодулятора с фазовращателем и без фазовращателя

Схемы квадратурного демодулятора с фазовращателем и без фазовращателя

21 Описание работы квадратурного модулятора

Описание работы квадратурного модулятора

I?2(t) = s(t)cos(?0t) = A(t)cos[?0t+?(t)]cos(?0t)= 0,5A(t)cos[?(t)] + 0,5A(t)cos[2?0t+?(t)]= 0,5I(t) + 0,5A(t)cos[2?0t+?(t)] (1) Q?2(t) = –s(t)sin(?0t) = – A(t)cos[?0t+?(t)]sin(?0t) = 0,5A(t)sin[?(t)] – 0,5A(t)sin[2?0t+?(t)] = 0,5Q(t) – 0,5A(t)sin[2?0t+?(t)] (2) Из формул (1) и (2) видно, что результаты умножений содержат две составляющие – низкочастотную 0,5I(t) и 0,5Q(t), которые являются половинами действительной и мнимой частей комплексной огибающей и высокочастотную 0,5A(t)cos[2?0t+?(t)] и –0,5A(t)sin[2?0t+?(t)], которые могут быть убраны фильтром низких частот (ФНЧ) I?(t) = 0,5I(t) (3) Q?(t) = 0,5Q(t) (4)

22 Актюаторные компоненты микросистемной техники (МСТ)

Актюаторные компоненты микросистемной техники (МСТ)

Механцев Е.Б., Лысенко И.Е. Физические основы микросистемной техники. Учебное пособие.– Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2004.

23 К определению МЭМС и МОЭМС

К определению МЭМС и МОЭМС

Микроэлектромеханическими системами (МЭМС) называют устройства с интегрированными в объеме или на поверхности твердого тела электронными и микромеханическими структурами. Интеграция МЭМС с оптическими компонентами позволило выделить отдельный класс компонентов микросистем, названный микрооптикоэлектромеханичес-кими системами (МОЭМС)

24 Актюаторные компоненты МСТ

Актюаторные компоненты МСТ

Актюатор – это исполнительное устройство, которое преобразовывает тепловую, электрическую и магнитную энергии в механическое движение. Актюаторные компоненты имеют размеры от нескольких квадратных микрометров до одного квадратного сантиметра. Актюаторные компоненты микросистемной техники в настоящее время применяются почти во всех областях человеческой деятельности: в авиакосмической промышленности, в автомобилестроении, в робототехнике, в медицине и т.д.

25 Изделия на основе микросистемной техники (МСТ)

Изделия на основе микросистемной техники (МСТ)

Появление микроминиатюрных устройств, в которых гальванические (электрические) подсистемы интегрируются на микроуровне с механическими, породило новое направление микросистемной техники, получившей название МЭМС-системы. Использование МЭМС-систем позволило создать новый тип электромеханических устройств, значительно превосходящий традиционные по массогабаритным характеристикам, надежности, времени срабатывания, потребляемой мощности и стоимости. При изготовлении микроэлектромеханических систем используется технология поверхностной микромеханики (технология МЭМС).

26 Высокочастотные статические реле РНА11

Высокочастотные статические реле РНА11

Реле РНА11 слаботочные статические высокочастотные, одностабильные, с одной и двумя контактными группами, изготовленные по технологии микросистемной техники (МСТ) в металлокерамическом корпусе предназначены для переключения электрических цепей с коммутируемой мощностью до 30 мВт и частотой коммутируемого сигнала до 6 ГГц в высокочастотной аппаратуре связи.

27 Условное обозначение реле РНА11 (исполнение ИДЯУ

Условное обозначение реле РНА11 (исполнение ИДЯУ

647649.001)

28 Высокочастотные статические реле РНА12, РНА12В

Высокочастотные статические реле РНА12, РНА12В

Реле РНА12, РНА12В – слаботочные, статические, высокочастотные, замыкающие, выполненные на основе технологий микросистемной техники (МСТ) в миниатюрном керамическом корпусе, предназначены для коммутации электрических сигналов переменного тока частотой до 6 ГГц. В реле использован электростатический принцип управления.

29 Габаритный чертеж и схема электрическая принципиальная реле РНА12

Габаритный чертеж и схема электрическая принципиальная реле РНА12

30 Интегральные микромеханические реле

Интегральные микромеханические реле

Интегральные микромеханические реле находят широкое применение в миниатюрных робототехнических системах в качестве логических элементов

31 Структура интегрального микромеханического реле: 1 –подложка; 2 –

Структура интегрального микромеханического реле: 1 –подложка; 2 –

диэлектрик; 3 –область истока; 4 – консольная балка; 5 – область затвора; 6 – область стока

32 Конструкция ММК

Конструкция ММК

Большинство микромеханических ключей (ММК) с электростатической активацией, в качестве подвижного элемента, содержат консольную балку. Область, к которой непосредственно присоединена консольная балка, принято называть истоком (И). Область, расположенная под консольной балкой и используемая для создания электростатической силы, называется затвором (З). Область, с которой происходит механический контакт консольной балки при ее отклонении от первоначального положения, за счет действия электростатической силы, называется областью стока (С).

33 Миниатюрное ВЧ реле на основе МЭМС технологий РМА 1

Миниатюрное ВЧ реле на основе МЭМС технологий РМА 1

Реле статическое высокочастотное на основе МЭМС технологий предназначено для коммутации высокочастотных электрических цепей с частотой коммутируемого сигнала до 6 ГГц. Реле разрабатывается с использованием новейших технологических и конструктивных решений в области микроэлектромеханических систем (МЭМС).

34 Условные обозначения реле при нормальном и инверсном режимах работы:

Условные обозначения реле при нормальном и инверсном режимах работы:

Б – инверсный режим работы

А – нормальный режим работы

35 Гистерезис в ММК

Гистерезис в ММК

Микромеханические ключи с электростатической активацией обладают гистерезисом. Это связано с потерей стабильности механических структур, вызванное неконтролируемым электростатическим притяжением. Если конструкция микромеханического ключа позволяет балке переходить точку потери стабильности, то ключ замыкается и не размыкается до тех пор, пока отклоняющее напряжение не станет ниже порогового напряжения выключения, т.е. появляется гистерезис. Избавиться от гистерезиса можно только, если микромеханический ключ будет замыкаться до того, как консольная балка достигнет точки потери стабильности. При этом пороговые напряжения включения и выключения будут одинаковыми

36 Зависимость изменения зазора от приложенного напряжения (при толщине

Зависимость изменения зазора от приложенного напряжения (при толщине

балки 0,5 мкм и площади области затвора 4*104 мкм2): 1– переход из разомкнутого состояния в замкнутое; 2– переход из замкнутого состояния в разомкнутое.

37 Проблема залипания в ММК

Проблема залипания в ММК

При проектировании микромеханических ключей необходимо учитывать такой эффект как прилипание консольной балки к поверхности кристалла. В основе данного эффекта лежит действие микроскопических сил на поверхности контактов и, следовательно, этот эффект в сильной степени зависит от морфологии поверхности контактов. Проблема залипания подвижных частей особенно остро стоит для ключей с металлическими контактами.

38 Новый способ электронной литографии

Новый способ электронной литографии

Электронная литография или электронно-лучевая литография — метод нанолитографии с использованием электронного пучка.

39 Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники : курс

Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники : курс

лекций / Г. Н. Шелованова. - Красноярск : ИПК СФУ, 2009.

40 Новый способ электронной литографии

Новый способ электронной литографии

Электронная литография – один из перспективных, но пока ещё достаточно сложный и дорогостоящий для коммерческого применения метод создания и промышленного производства самых различных устройств и компонентов устройств, позволяющий достигнуть разрешения в 1 нм. В недавно опубликованной работе в журнале NanoLetters предложили использовать в качестве источника электронов тонкие плёнки излучателей ?-электронов, как, например, 63Ni и Be3H2, придумав методу яркое название SPEL (self-powered electron lithography). Оказалось, что в этом случае можно обеспечить разрешение вплоть до 35 нм, что сравнимо с теми техпроцессами, которые разрабатываются и используются на практике ведущими компаниями (Intel, AMD, IBM и т.д.) для производства новых поколений процессоров и других полупроводниковых устройств

41 Схема установки для SPEL

Схема установки для SPEL

Схема установки чрезвычайно проста, легко масштабируема и не требует дополнительных модулей (вакуумной системы, высоковольтного источника питания и т.п.). Тонкая плёнка нитрида кремния позволяет ослабить до приемлемых значений энергии поток ?-электронов, а вольфрамовая маска эффективно поглощает электроны в тех местах, где это требуется.

42 3D моделирование поведения электронов с помощью метода Монте-Карло

3D моделирование поведения электронов с помощью метода Монте-Карло

Полученные результаты говорят сами за себя, разрешение в 35 нм не такая уж и большая проблема.

43 Зависимость получаемого разрешения от Z

Зависимость получаемого разрешения от Z

Данная система позволяет сразу засвечивать большие площади подложек с фоторезистом, значительно ускоряя данную процедуру

44 Наноструктуры, полученные метом SPEL

Наноструктуры, полученные метом SPEL

45 Учебное задание

Учебное задание

Познакомиться с содержанием статьи о продукции ОКБ «Планета», опубликованной в журнале «Компоненты и технологии» №10, 2006 г. Изучить раздел 3 «Актюаторные компоненты МСТ» учебного пособия «Физические основы МСТ»; Познакомиться с содержанием лекции 4 и лекции 5 электронного учебно-методического комплекса по дисциплине. Примечание: учебные материалы размещены на портале НовГУ ( Исаев Владимир Александрович > Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники > …)

46 Список литературы

Список литературы

1. Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники : учебная программа дисциплины / В. А. Юзова, Г. Н. Шелованова. - Красноярск : ИПК СФУ, 2009. 2. Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники : курс лекций / Г. Н. Шелованова. - Красноярск : ИПК СФУ, 2009. 3. История отечественной радиолокации / Под ред. А.С.Якунина. – М.: ИД «Столичная энциклопедия», 2011. 4. Вендик О.Г. Фазированная антенная решетка – глаза радиотехнической системы // Соросовский образовательный журнал. -1997. - №2. - С. 115-120.

47 Список литературы (продолжение)

Список литературы (продолжение)

5. ГОСТ Р 52459.6-2009 - Технические средства радиосвязи. Часть 6. Частные требования к оборудованию цифровой усовершенствованной беспроводной связи (DECT) 6. ГОСТ Р 52459.7-2009 - Технические средства радиосвязи. Часть 7. Частные требования к подвижному и портативному радиооборудованию и вспомогательному оборудованию систем цифровой сотовой связи (GSM и DCS) 7. Автоматизированная система АСОНИКА для моделирования физических процессов в радиоэлектронных средствах с учетом внешних воздействий / Под ред. А.С. Шалумова. - М: Издательство «Радиотехника», 2013. – 424 с. 8. Механцев Е.Б., Лысенко И.Е. Физические основы микросистемной техники. Часть I: Компоненты МСТ, основанные на использовании свойств электрического поля: Учебное пособие. - Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2004. - 54 с.

48 Спасибо за внимание

Спасибо за внимание

E-mail: vladimir.isaev@novsu.ru

«Антенные решетки без регистрации»
http://900igr.net/prezentacija/pedagogika/antennye-reshetki-bez-registratsii-253989.html
cсылка на страницу

Перспективная начальная школа

7 презентаций о Перспективной начальной школе
Урок

Педагогика

135 тем
Слайды